国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一体化刻蚀方法”的专利，公开号CN122373790A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请公开了一种一体化刻蚀方法，包括：进行一体化刻蚀，在金属层、第一介质层中形成凹槽，第一介质层形成于第二介质层上，第二介质层中形成有金属线，凹槽底部的金属线暴露，金属线和金属层包含的材料不同；进行后刻蚀对一体化刻蚀中产生的碳氟聚合物进行清除，后刻蚀包括三个刻蚀阶段：在第一刻蚀阶段，通入的反应气体包括一氧化碳和/或二氧化碳；在第二刻蚀阶段，通入的反应气体包括氢气和惰性气体；在第三刻蚀阶段，通入的反应气体包括一氧化碳和/或二氧化碳。本申请通过在一体化刻蚀的后刻蚀过程中，增加包含氢气和惰性气体的反应气体的刻蚀阶段，能够减少金属氟氧化合物残留的生成，提高了器件产品的可靠性和良率。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息229条，此外企业还拥有行政许可233个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2073条，此外企业还拥有行政许可119个。

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作者：情报员