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七月的存储芯片市场,正在上演一场东西方同框的历史性时刻。

美国东部时间7月10日上午,“HBM之王”SK海力士在纽约时代广场纳斯达克市场中心正式敲钟,成为首家在美国主板挂牌的韩国存储巨头。

钟声尚未散尽,太平洋彼岸的上海,另一场资本盛宴已箭在弦上——中国DRAM第一股长鑫科技将于7月16日启动科创板打新,市值预计突破2万亿元人民币,成为A股史上最大科技IPO之一。

一个在纳斯达克收割AI算力红利,一个在科创板宣告国产存储崛起。同一赛道,相隔一周,两声钟响——这场“梦幻联动”的偶然背后,藏着一个关于全球存储芯片格局正在深刻重构的必然逻辑。

海力士的故事,是HBM超级周期的封神叙事:凭借对高带宽内存技术的十年押注,海力士成为英伟达最核心的军火供应商,每一块H100、B200背后都有它的身影,单季净利润已逼近苹果平季水准。

而长鑫的故事,则是另一种逻辑——它不是因为技术领先赚到钱,而是因为对手集体抽身离场赚到钱。三星、海力士、美光将九成以上产能锁死在高利润HBM赛道,DDR4、DDR5、LPDDR5等通用DRAM出现结构性供给真空,长鑫作为全球唯一专注通用DRAM的规模厂商,坐收了一场典型的“别人打高端,我收低端溢价”的历史性窗口期红利。

不可否认的是,“硅基文明”的基石——最底层的硬件制造与算力架构,其作为绝对护城河的趋势越发不可动摇。这场AI牛市也仍在路上,未来Anthropic将挟实现AGI的Mythos等产品登陆纳斯达克,新血液的注入将持续推高板块估值上限,向全球资本证明:这场由硬体制造升级所驱动的牛市,远未到见顶之时,每一次的短暂调整,都是其积蓄力量、续创新高的跳板。

海力士从首尔到纽约

海力士是全球最大的内存半导体公司之一。公司专注于设计、制造和销售先进的存储半导体,包括DRAM(动态随机存取存储器)、NAND闪存以及用于AI的HBM。HBM则是当前AI生态中最为短缺的硬件环节。

本次海力士的募资规模265亿美元,仅次于上月上市的SpaceX,为全球第二大IPO,上市当日股价大涨13%。

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今年二季度的财报显示,海力士的单季度净利润高达40.35万亿韩元(约273亿美元),同比+398%,环比+165%。要知道,英伟达一季度的净利润也不过约190亿美元。一家卖全球最贵GPU的公司,单季净利反而不及海力士。

AI大模型和高性能计算(HPC)的爆发式增长,导致对高带宽、大容量内存的需求激增。根据Gartner数据,2025年至2027年,整体内存半导体市场预计将以86.0%的复合年增长率扩张,到2027年规模将接近7480亿美元。其中HBM增长尤为迅猛。

除了HBM,海力士的DRAM和NAND产品的平均销售价格也将大幅上涨。同时,行业正从以消费级需求为主,转向以企业级和数据中心需求为主导,这为高端内存产品(如HBM、企业级SSD)带来了持续的增长机会。

一张表格就可清晰地看出海力士极高的行业地位和行业竞争格局:

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事实上,此前已经在韩国上市的海力士选择再度登陆纳斯达克,显然是希望借助当前有利的行业周期,并从中获益。从需求端来看,存储芯片仍然供不应求,我们已经看到这种供需紧张带来的影响,例如苹果提高了部分产品的售价。

但股价通常会领先于基本面,近期存储板块出现大幅回调,强劲的盈利反而导致海力士的估值收缩(即变得更便宜了)。亦有硅谷的投资人对笔者表示,估值倍数收缩事实上也可能是一个看空信号,因为对于周期股来说,往往是在行业周期见顶、盈利表现最好的时候,估值看起来反而最便宜。可见,海力士希望在周期最顶部在美国募集到尽可能多的钱。

在HBM高度紧缺背景下,公司的产能扩张决心也已经彰显,这也是此次海力士登陆美国融资的主要目的之一。公司正在韩国永仁(Yongin)建设超大规模的半导体集群,并在清州(Cheongju)和美国印第安纳州建设先进封装厂,确保了未来5~10年的产能供给。

此前,在美国上市的存储巨头就只有美光科技(Micron)和闪迪(SanDisk)。美光近期已经交出了一份无与伦比的2026财年Q3财报,堪称“满分成绩单”。它以一己之力打破了近期笼罩在美股上空的“AI科技泡沫见顶论”与“大盘崩溃论”——毛利率冲高至骇人听闻的84.9%,不仅证明了HBM等尖端AI存储硬件的绝对溢价权,更标志着存储板块已彻底摆脱历史上的周期性泥潭,转型为高壁垒、高毛利的绝对核心。

某华尔街投行的资深从业者也对笔者表示,这也印证了Mega Titans理论模型的核心论点:算力硬件与AI基础设施正在成为主导整个全球经济与美股大盘的最终驱动力。随着海力士在纳斯达克登陆,这两大全球存储巨头将在美国算力本土化的浪潮中形成合力,联手满足北美各大AI云厂商对新一代存储的极限需求,这将直接开启纳斯达克指数在算力硬核时代的新纪元。

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杠杆危机和周期性之争

尽管以存储为首的AI硬件基本面异常强劲,但近期市场波动明显加剧。

韩国综合股价指数较6月的历史高点下跌了约20%,进入了技术上的熊市区间。其中,三星、海力士这两大存储巨头领跌——7月7日,三星二季度营业利润同比暴涨1810%,业绩大超预期,但市场直接“卖事实”,三星收盘跌近7%,海力士跌超6%,韩国KOSPI盘中触发熔断,恐慌情绪外溢至美股,美光、闪迪、西部数据盘前跌超5%;7月8日跌势延续,海力士跌幅进一步扩大至5%,三星电子跌超7%,为本轮调整最深时刻;近几日,市场有所反弹。

原因也在于,市场在积累了超高浮盈后,投资者获利了结的冲动加剧,同时杠杆的负面效应开始发酵——2倍杠杆韩国ETF近期大幅回撤,一个月前买入这一ETF的投资者,如今需要上涨150%才能仅仅回本。

|两倍杠杆韩国ETF大跌。来源: LSEG Workspace
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|两倍杠杆韩国ETF大跌。来源: LSEG Workspace

2倍杠杆的SK海力士ETF则被称为“杠杆之王”,该ETF已经成长为全球最大的单一个股杠杆ETF。当市场上最拥挤的交易之一,同时也是杠杆最高的交易之一时,波动性往往会自我强化。

|2倍做多SK海力士ETF规模已远超2倍做多特斯拉TSLL、2倍做多英伟达NVDL。来源:高盛
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|2倍做多SK海力士ETF规模已远超2倍做多特斯拉TSLL、2倍做多英伟达NVDL。来源:高盛

除了杠杆风险,周期性之争则是根本性问题。存储行业向来是强周期性行业,只是如今强劲的AI相关需求将周期暂时熨平或延长了。目前价值百万美金的问题就在于——周期性何时回归?股价何时会提前反应?

AI服务器中存储价值占比高达40%,这是由于AI处理的token数量持续膨胀,DRAM容量需求随之翻了近四倍,价格也随着供不应求一路走高。同时,云厂商与存储厂商陆续签订长期供货协议(LTA),熨平了过去大起大落的周期波动。

至少在这两年,传统意义上的“存储周期”已经基本消失。

虽然扩产的产能最早也要到2029年才能落地,HBM的紧缺程度毋庸置疑,但摩根士丹利就提到了一个问题,存储价格同比涨幅从一季度的100%以上,大幅收窄至三季度的个位数至低两位数区间——这正是“变化速率见顶”的直观体现。

此外,市场上两周流传一则未经证实的消息:全球最大AI算力买家之一(Meta)有意出售富余计算资源。空头的解读显而易见——如果超大规模云厂商算力过剩,整个AI建设是否已供过于求?这也导致全球AI板块一度暴跌。

如今,机构仍维持对存储行业的长期看多立场,理由是2027年预期盈利增长35%~40%,以及AI智能体的大规模普及浪潮。但短期内,市场将高度聚焦科技巨头(超大规模云厂商,如微软、Meta、谷歌等)的资本开支计划,因为他们是存储等AI硬件的“买单方”,如果它们在二季度财报中上调资本开支,存储股将迎来极佳买入窗口;如果下调,过剩叙事将持续发酵。

“追赶者”长鑫登陆科创板

更值得一提的是,在海力士登陆纳斯达克不久后,长鑫科技将在7月16日启动打新,届时市值预计将超2万亿元。这似乎也是一种“梦幻联动”。

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长鑫的盈利逻辑是坐收“HBM挤出红利”。这是典型的“别人打高端,我收低端溢价”的历史性窗口。具体而言,三星、海力士宣布逐步退出DDR4生产,部分型号在2025年一个月内涨价约50%,全年累计涨幅逼近800%。TrendForce就预测,2026年普通DRAM获利有望超越HBM3e,这也是历史上第一次出现这种反转。

尽管长鑫科技尚不掌握HBM的话语权,但财报依然炸裂,2025年毛利率同比跳升36个百分点,招股书直接说明原因是“DRAM产品销售单价在2025年下半年以来持续上涨”。

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对于中国的“追赶者”长鑫而言,短期无疑可以吃“风口的钱”,HBM挤出效应还在持续;中期公司则将赚国产替代的钱,中国是全球最大DRAM消费市场,但长鑫当前全球份额仅7.67%,在国内的渗透率也远未饱和;但是就长期来看,长鑫的招股书就明确标记,先追通用DRAM,再攻HBM。

募资295亿元中,130亿用于DRAM技术升级,90亿用于前瞻技术研发——这是在为未来的HBM入局做产能和技术储备。

这一即将上市的巨无霸还引发了流动性挤压的担忧,但更多观点认为,优质巨无霸上市反而会积极推动散户的参与度,凭借旺盛的基本面和较大的流通盘吸引更多场外资金入市。

事实上,相关IPO也象征着中国的增长核心动力全面转向新兴产业,国内高技术产业工业增加值增速已经达到普通制造业的两倍。其中,AI智能制造、光通信、算力硬件、智能化设备等细分赛道利润增速爆发,同比普遍超过50%。

这一背景下,A股结构性行情极度割裂,宏观数据平淡、但科创赛道大涨,2026年科创50指数年内涨幅领跑全球,这种局面在下半年可能很难出现根本性逆转。

No.6986 原创首发文章|作者 Irene Zhou

开白名单 duanyu_H|投稿 tougao99999

注:部分素材由作者提供。

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