国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“氮化镓高电子迁移率晶体管”的专利，公开号CN122395985A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管。氮化镓高电子迁移率晶体管包括：外延层组，外延层组的晶体管器件区包括沿第一方向相邻的第一子区和第二子区；多个欧姆接触电极，包括：第一电极，第一电极为在第一子区内且距离第二子区最近的欧姆接触电极，第一电极包括沿第二方向相互间隔的第一子电极和第二子电极；以及第二电极，第二电极为在第二子区内且距离第一电极最近的欧姆接触电极，且第二电极与第一子电极在沿第一方向上的投影重叠；以及第一电隔离件，设置于第一子电极与第二子电极的间隔处。根据本申请实施例的氮化镓高电子迁移率晶体管，能够降低关断瞬间晶体管器件区的形状变化位置处的击穿风险。

天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本440000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息300条，此外企业还拥有行政许可51个。

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作者：情报员