继长鑫科技（688825.SH）获得科创板IPO上市批文后，“国产存储双雄”的另一员——长江存储亦提速资本化进程。

日前，中国证监会官网公示了《关于长江存储首次公开发行股票并上市辅导工作进展情况报告（第一期）》，中信证券（600030.SH）、中信建投（601066.SH）担任辅导机构，自2026年5月19日至6月底已完成首期辅导工作。

当前，全球存储行业正经历AI算力需求爆发催化的高景气周期。借此浪潮，长江存储已成为全球NAND市场不可忽视的参与者。据国盛证券（002670.SZ）发布的研报称，市场预测长江存储IPO估值约3000亿元。若以这一量级上市，其有望成为近年来A股规模最大的科技IPO之一。

针对上市相关事宜，财闻通过官方邮件联系长江存储方面，截至发稿未获得回应。

股东穿透辅导工作量大

长江存储成立于2016年，总部位于武汉，业务集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体，是国内唯一实现3D NAND闪存芯片量产的IDM（垂直整合制造）大厂。

值得一提的是，曾为长江存储子公司的新芯股份此前在科创板排队长达1年8个月，始终未能通过IPO，直到2026年5月19日长江存储启动IPO申请，新芯股份方于同日撤回申请。

工商信息显示，长江存储目前无单一控股股东，第一大股东为湖北长晟发展有限责任公司，持股比例为26.54%，由武汉及湖北省国资体系控股。第二大股东武汉芯飞科技投资有限公司持股25.35%。后续股东包括国家集成电路产业投资基金、武汉光谷产业投资有限公司等。

辅导进展报告中，辅导人员清单吸引了市场目光。两家券商合计派出31人组成辅导工作小组，在近年的IPO案例中堪称“豪华配置”。财闻注意到，这一规模与此前长鑫科技IPO时中金公司（601995.SH）、中信建投组建的“34人天团”旗鼓相当。

知名财税审专家刘志耕告诉财闻，这一31人超常规辅导配置，是头部券商为适配项目体量与复杂度投入的顶配资源，也反映出长江存储IPO的特殊性。

刘志耕表示，作为国内3D NAND闪存赛道的国家级战略标杆，长江存储承担突破海外垄断、保障供应链安全的重任；同时股权结构高度多元，涵盖地方国资、国家大基金等主体，叠加复杂历史沿革，股东穿透核查工作量远超常规，必须以顶配资源确保平稳落地。

存储双雄资本市场会师加速

技术层面，长江存储成立以来进展迅速，凭借自研晶栈Xtacking架构的持续演进，公司于2023年推出232层“武当山”芯片，通过双层堆叠等效存储密度达294层，跻身全球技术第一梯队，对标三星等海外存储巨头。

目前，长江存储作为国产NAND厂商，正在这一领域快速追赶国际竞争对手。市场调研机构Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度在NAND闪存市场上，三星、SK海力士（SKHY.US）（含Solidigm）、铠侠的市场份额分别为29%、18%、14%，长江存储与美光、闪迪（SNDK.US）同处13%梯队，竞争胶着。

与长江存储并称“国产存储双子星”的长鑫科技同样成立于2016年，已于6月12日取得上市批文，即将于7月16日开启申购，此次科创板IPO拟募资295亿元，是科创板史上第二大IPO，发行价尚未披露。

两家公司先后释放IPO信号，引发市场对“存储双雄”格局的广泛讨论。目前二者在业务层面并无直接交锋：长江存储主攻3D NAND闪存（主要用于消费电子的存储硬盘），长鑫存储则主攻DRAM（主要用于消费电子的运行内存），分属两类主流的存储芯片。

市场普遍认为，二者选择当下IPO与全球存储芯片市场步入新一轮超级周期有关。AI服务器对存储的消耗显著高于传统服务器。相关测算显示，AI服务器单台DRAM搭载量为传统服务器的8至10倍，NAND用量约为3倍。

高盛指出，全球存储芯片市场正面临过去15年来最严重的供应短缺，2026年DRAM、NAND闪存和HBM（高带宽内存）的供需缺口分别达4.9%、4.2%和5.1%，均为历史新高。

价格端亦同步印证。据TrendForce数据，2026年第二季度DDR5合约价预计环比上涨58%至63%，NAND闪存合约价环比上涨70%至75%，单季涨幅创近十年罕见水平。

据长鑫科技招股书显示，其预计2026年上半年营业收入将达到1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；实现归母净利润为500亿元至570亿元，同比变动2244.03%至2544.19%。

另据市场研究机构数据，长江存储2025年前三季度公司营收约320.84亿元，同比增长97.79%。2026年第一季度营收突破200亿元，较去年同期实现翻倍增长。

国际巨头竞争激烈

面对供需失衡的存储市场，扩产已然成为上游企业应对市场变化的必然选择。

据TrendForce数据，全球DRAM资本支出将从2025年的537亿美元升至2026年的613亿美元，同比增长14%；NAND资本开支将从2025年的211亿美元升至2026年的222亿美元，同比增长5%。三星、SK海力士、美光2026年合计资本支出预计达535亿美元，较2025年提升16%。

国内存储厂亦在同步加码。产能端，长江存储在武汉运营两座成熟晶圆厂，合计月产能约20万片。三期工厂设备安装已全面启动，预计2026年底投产，2027年实现月产能5万片。远期规划显示，三期之后还将新建两座晶圆厂，全部达产后总月产能将达50万片。

Counterpoint Research分析认为，若长江存储通过IPO获得资金支持，有望超越铠侠和美光成为全球第三大NAND厂商。

刘志耕指出，此前定价权长期由海外三大厂商把控，长江存储凭借规模化量产的高性价比产品，将大幅削弱海外厂商的单边定价优势，推动行业从“少数厂商控价”转向多主体博弈的市场化定价，缓解2026年NAND价格过快上涨的结构性供需矛盾。

然而，市场期待的另一面是，除了产能规模，NAND闪存堆叠技术的迭代竞速同样白热化。三星在西安NAND晶圆厂量产V8 NAND后，已瞄准286层堆叠的 V9 NAND。根据三星在研讨会上展示的幻灯片，公司计划2029年实现420层NAND闪存解决方案，2030年推进至560层以上。SK海力士则计划2026年底量产375层V10 NAND，未来还将持续迭代，依次推出480层、604层产品。

在刘志耕看来，长江存储需持续优化294层及以上产品良率，缩小与国际头部代际差。抓住2026—2027年供需紧平衡窗口，抢占AI数据中心、汽车电子等高端市场，实现对铠侠、美光的出货量反超。

三星电子、SK海力士等巨头重兵压境之下，这家国产存储龙头能否借助资本市场完成关键一跃，正牵动着全行业的目光。