国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种高压MOS器件及其制造方法”的专利，公开号CN122396010A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，一种高压MOS器件及其制造方法，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底具有第一导电类型；位于半导体衬底上的栅极结构；沿第一方向分设于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中的源区和漏区，所述源区和所述漏区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；位于所述栅极结构下方的所述半导体衬底中的第一阱区，所述第一阱区具有所述第一导电类型，所述第一阱区与所述源区和所述漏区中的至少一个间隔设置，以在所述第一阱区与所述源区之间和/或所述第一阱区与所述漏区之间形成低掺杂区，所述低掺杂区由所述半导体衬底构成。本申请能够在保证耐压性的同时简化制造工艺。

天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息17条，专利信息123条。

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作者：情报员