新 闻1️⃣：长鑫科技确定发行价 8.66 元 / 股，市盈率高达 308.92 倍
7 月 14 日消息，国产 DRAM 存储芯片龙头长鑫科技发公告称，公司首次公开发行股票并在科创板上市，发行价格为 8.66 元 / 股。
投资者请按此价格在 2026 年 7 月 16 日（T 日）进行网上和网下申购，申购时无需缴付申购资金。其中，网下申购时间为 9:30-15:00，网上申购时间为 9:30-11:30，13:00-15:00。本次初始发行股份数量为 668,808.8608 万股，占发行后总股本约 10.00%，并授予中金公司不超过初始发行股份 15.00% 的超额配售选择权。发行价格对应的 2025 年扣非前后孰低摊薄后市盈率为 308.92 倍 (未行使超额配售选择权)，高于行业平均市盈率 76.32 倍及可比公司平均市盈率 134.62 倍。预计募集资金总额约 579.19 亿元 (超额配售选择权行使前)，扣除发行费用后净额约 576.38 亿元。
经计算，长鑫科技发行市值约为 5792 亿。
原文链接：https://m.ithome.com/html/976731.htm
新 闻2️⃣ ： 长鑫科技 7 月 16 日开启新股申购，近 2 万员工持股人均账面收益超百万
7 月 14 日消息，国产 DRAM 存储芯片龙头长鑫科技的科创板 IPO 进程已进入最后冲刺阶段。
长鑫科技将于 2026 年 7 月 16 日正式开启网上申购及网下申购。此次 IPO，长鑫科技初始公开发行 66.88 亿股，占发行后总股本约 10%，拟募资 295 亿元。
这一募资规模不仅使其成为 2026 年以来 A 股市场规模最大的 IPO，也标志着它成为科创板历史上仅次于中芯国际（532 亿元）的第二大 IPO。随着上市节点的临近，该公司在上市前落地的大规模员工持股计划，也成为资本市场关注的焦点之一。
根据招股书披露的信息，长鑫科技在上市前已实施两期员工持股计划，整个计划历时四年推进。第一期员工持股计划自 2021 年 9 月启动，授予价格为 1.05 元 / 注册资本，截至招股意向书签署日已完成 9 次授予，累计覆盖 3596 人次。
第二期员工持股计划于 2023 年 6 月启动，彼时长鑫科技正因大规模扩产而出现阶段性账面亏损，授予价格被压低至 0.108 元 / 注册资本。两期计划累计完成股份授予 6760 人次，占公司截至 2025 年末员工总数 19298 人的约 35%。
在获授员工的结构中，研发岗位人员占比超过三成，硕士及以上学历员工占比接近四成。IT之家注意到，这一覆盖范围在近年国内半导体行业的上市前股权激励项目中处于前列。
在股份的分配规则上，招股书明确约定，所有参与持股计划的员工所持股份，需在公司上市满 36 个月之后，分十年逐步完成权益分配，分配方式既可选择直接兑付股份，也可选择对应现金收益。这一制度安排旨在将员工回报与公司长期经营价值深度绑定，从规则层面避免了上市后短期集中套现的可能。
2025 年 7 月，长鑫科技董事长朱一明公开作出承诺，将其名下持有的 7.68 亿股股份，在公司上市满 36 个月后的 10 年内，全部无偿分配给公司在职员工。这一操作不涉及新增股份发行，不稀释原有股东权益，完全由创始人个人让渡。与此同时，朱一明还承诺在上市后第一个十年内不转让所持股份。按照市场普遍预期的 1.5 万亿至 2 万亿元上市后市值区间测算，这部分股份价值约在 160 亿元至 200 亿元之间，若按公司 2025 年末 19298 名在职员工总数均摊，每位员工的账面收益将超过百万元。
在经营层面，受益于 AI 驱动的存储行业需求增长，长鑫科技业绩呈现显著增长。根据业绩预告，公司预计 2026 年上半年实现营业收入 1100 亿元至 1200 亿元，同比增长 612.53% 至 677.31%；归属于母公司所有者的净利润预计为 500 亿元至 570 亿元，同比增长 2244.03% 至 2544.19%。根据 Omdia 等市场研究机构的数据，按出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。
原文链接：https://m.ithome.com/html/976255.htm
而根据目前的发行价格来看，此前因为两期员工持股计划而获得股权的大量内部员工这次也会收益不小。不知道这次上市后，又会造富出多少大富翁呢？
新 闻3️⃣： 长鑫存储产能快速飙升，预计年末达每月35万片晶圆，已接近美光
主攻DRAM的长鑫存储（CXMT）是国内最大且唯一一家能够制造DDR5、LPDDR5和LPDDR5X芯片的厂商，最近成为了国内外行业的焦点。除了即将上市外，一方面长鑫存储在积极地开展HBM的开发工作，HBM3和HBM3E已经箭在弦上，另一方面乘着存储器行业的风口大幅扩张产能。由于市场DRAM供应短缺严重，苹果也有意将长鑫存储纳入到其供应链体系，传闻已经开始测试来自长鑫存储的DRAM芯片。
据TECHPOWERUP报道，现在长鑫存储的产能扩张速度极快，或许大家都没有什么概念。最新的报告称，如果长鑫存储完成现有项目，预计到2026年末，产能将提升至每月35万片晶圆。这一数字高于之前30万片的预期，与三大原厂之一的美光每月37.5万片晶圆已经很接近了。考虑到美光在这一行业已经有数十年历史，而长鑫存储是一个相对新的参与者，而且主要为了满足国内市场需求，这样的成绩令人印象深刻。
长鑫存储的项目推进速度极快，比如建造无尘室，仅用了约12个月就完成了，而其他DRAM芯片制造商通常要21到24个月，甚至更长的时间。也就是说，长鑫存储光是这一个过程就缩短了近一年的时间。尽管购买EUV光刻机会受到限制，但是现阶段DRAM芯片生产更多地依赖于DUV光刻机，且可以通过多重曝光等方式弥补不足。
目前长鑫存储开始批量生产24Gb DDR5模块，速率可达8000Mbps，另外还有16Gb LPDDR5X模块，最高速率达10667Mbps。
原文链接：https://www.expreview.com/107005.html
此前的几家大厂纳入供应链、主板厂商主动优化适配，再加上这次的产能飙升的信息，无异都在提振士气， 希望长鑫的产品能带来更多的惊喜吧！
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