天岳先进申请碳化硅衬底相关专利，高性能碳化硅衬底可提升外延质量与生产适配性

来源：新浪证券-红岸工作室

7月18日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种面内应力分布均匀且外延前后面型变化量小的碳化硅衬底”的专利。申请公布号为CN122421419A，申请号为CN202610414739.X，申请公布日期为2026年7月17日，申请日期为2026年3月31日，发明人张九阳、舒天宇、王瑞、项荣欣、李函朔、高超、彭红宇、热尼亚、靳婉琪，专利代理机构北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师邢伟，分类号H10D62/832、H10D62/50。

专利摘要显示，本申请公开了一种面内应力分布均匀且外延前后面型变化量小的碳化硅衬底。所述碳化硅衬底整体的Warp≤5μm，|Bow|≤2.5μm，TTV≤4μm，LTV≤1.5μm，且所述碳化硅衬底的面内最大峰位偏移量≤0.07cm‑1，TED位错密度≤1300个/cm‑2。该碳化硅衬底能够提高碳化硅衬底的使用稳定性和可靠性，便于后续外延层的生长和利用，降低后续外延层的面型数据变化量，同时还便于工业化生产。

天岳先进相关经营动态概览

天岳先进是全球领先的半绝缘型碳化硅衬底供应商，2010年11月2日成立，2022年1月12日登陆上海证券交易所，注册地为山东省，办公地涵盖山东省、香港特别行政区。

公司主营业务为碳化硅衬底的研发、生产和销售，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，同时覆盖TMT、碳化硅、高价股相关概念板块。

2025年公司实现营业收入14.65亿元，在29家同行业企业中排名第10，低于行业平均18.93亿元，高于行业中位数10.73亿元，同期行业营收前两位分别为有研新材95.42亿元、雅克科技86.11亿元；营收构成中碳化硅半导体材料贡献12.25亿元，占比83.62%，其他业务收入2.4亿元，占比16.38%。同年公司净利润为-2.09亿元，行业排名26/29，显著低于行业平均3198.31万元与行业中位数8532.72万元，同期行业净利润前两位分别为雅克科技10.3亿元、江丰电子4.14亿元。

指标类别 具体项目 数值/占比 行业排位/对比基准 营收表现 2025年营业收入 14.65亿元 10/29，行业均值18.93亿元、中位数10.73亿元 营收构成 碳化硅半导体材料收入 12.25亿元 占总营收83.62% 营收构成 其他补充业务收入 2.4亿元 占总营收16.38% 净利润表现 2025年净利润 -2.09亿元 26/29，行业均值3198.31万元、中位数8532.72万元

山东天岳先进科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种低杂质含量的氧化镓晶体及其生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610410657.82026-03-31CN122013320A2026-05-12周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏2一种低应力、高平整性的P型SiC衬底与调控装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610414730.92026-03-31CN122147534A2026-06-05党一帆、朱灿、陈鹏磊、刘鹏飞、周惠琴、张九阳、热尼亚、朱永海、靳婉琪3一种面内应力分布均匀且外延前后面型变化量小的碳化硅衬底发明专利公布CN202610414739.X2026-03-31CN122421419A2026-07-17张九阳、舒天宇、王瑞、项荣欣、李函朔、高超、彭红宇、热尼亚、靳婉琪4一种氧化镓晶体同步生长装置及生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610402210.62026-03-30CN122147528A2026-06-05周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏5一种高平整度碳化硅晶棒及其制备方法、制备装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610004935.X2026-01-05CN121989120A2026-05-08刘硕、宋猛、王凯、马立兴、热尼亚、靳婉琪6一种适用于硅碳负极的球形树脂小球及球形多孔碳及其制备方法发明专利授权CN202511632233.82025-11-10CN121076115B2026-02-24郭兆靖、梁庆瑞、宋福州、马健硕7一种高耐压球形多孔碳及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511382485.X2025-09-25CN121342017A2026-01-16郭兆靖、宋福州、梁庆瑞8一种n型碳化硅晶体及其液相生长方法发明专利公布CN202510946435.32025-07-09CN120945487A2025-11-14陈鹏磊、党一帆、刘鹏飞、朱灿、刘圆圆、高超9一种氧化镓晶体向下生长的长晶装置及长晶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510810956.62025-06-17CN120575323A2025-09-02周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、宋生10一种顶部籽晶生长氧化镓单晶的装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510810955.12025-06-17CN120575322A2025-09-02周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、高宇晗11一种新型布里奇曼法氧化镓单晶生长用坩埚及生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510810954.72025-06-17CN120591880A2025-09-05周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、赵树春12一种低倒角粗糙度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510701883.72025-05-28CN120568822A2025-08-29刘硕、王旗、宋猛、热尼亚、王凯、靳婉琪、李香林13一种低位错、高平整度的碳化硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510335295.62025-03-20CN120138807A2025-06-13王振行、赵建国、李昊、刘星、石志强、高宇晗、杨晓俐、高超14一种低缺陷密度碳化硅晶体、衬底及生长装置、生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510122558.52025-01-26CN119824542A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、赵树春、高宇晗、宋建、周敏15一种低基平面位错P型碳化硅晶体和衬底及生长设备、生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510124261.22025-01-26CN119824545A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、窦文涛、张红岩、周敏、宋建、石志强16小应力晶体和衬底及可控降温速度的晶体生长装置和晶体生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510124260.82025-01-26CN119824544A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、石志强、宋建、周敏17一种P型晶体及液相生长装置和液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510124259.52025-01-26CN119824543A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、刘家朋、周敏、宋建、石志强18一种长晶炉测温仪的校准检测装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510017290.92025-01-06CN119803729A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国19一种高效长晶炉测温仪的校准检测方法、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202510017294.72025-01-06CN119803730A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国20一种黑磷碳负极及其合成方法和合成设备、包括其的电池发明专利实质审查的生效、公布CN202510017292.82025-01-06CN119812276A2025-04-11郭兆靖、王瑞、宋福州、梁庆瑞21一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半导体单晶的液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411758464.92024-12-03CN119372783A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、彭红宇、张红岩、朱智勇22一种半导体单晶的液相生长设备和液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411758461.52024-12-03CN119372759A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、陈鹏磊、周煜、刘硕23一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411758462.X2024-12-03CN119372760A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、王立凤、李印、马立兴24一种低位错、低应力的P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实质审查的生效、公布CN202411758469.12024-12-03CN119571461A2025-03-07党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、周煜、刘硕、王立凤、张红岩25一种高质量P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实质审查的生效、公布CN202411758466.82024-12-03CN119615370A2025-03-14党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、张红岩、王立凤、王晓26一种行星式旋转切割半导体的切割设备和切割方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411665032.32024-11-20CN119388604A2025-02-07张九阳、梁庆瑞、王瑞、李印、邵殿领、孙诗甫、薛港生27一种基平面弯曲小且光程差小的SiC晶体和SiC衬底发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411665030.42024-11-20CN119507050A2025-02-25张九阳、高超、彭红宇、张红岩、王永方、李祥皓、李香林、李瞳、靳婉琪28一种光程差小的半绝缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411665021.52024-11-20CN119507049A2025-02-25张九阳、高超、赵树春、李霞、张宁、刘圆圆、孟庆豪、王路平、周坤、刘浩29一种精准定位开装的感应炉发明专利实质审查的生效、公布CN202411657186.82024-11-19CN119353918A2025-01-24张九阳、徐光明、王凯、彭红宇、李帅、孙元行、宋猛30一种低内应力的SiC晶体和SiC衬底发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411657191.92024-11-19CN119507047A2025-02-25张九阳、高超、杨晓俐、高宇晗、舒天宇、方帅、宋猛、王宗玉31一种石墨化碳纤维布发明专利实质审查的生效、公布CN202411657187.22024-11-19CN119528488A2025-02-28张九阳、宁秀秀、方帅、王宗玉、王路平、高宇晗、杨晓俐、徐光明32一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底发明专利实质审查的生效、公布CN202411657189.12024-11-19CN119553368A2025-03-04张九阳、高超、张红岩、宁秀秀、舒天宇、赵树春、李霞、王路平、潘亚妮33一种多炉台特殊气体综合利用设备实用新型授权CN202422696300.X2024-11-05CN223319575U2025-09-09李文强、张健、宋建、阴法波、周敏34一种测温装置实用新型授权CN202422678993.X2024-11-04CN223691884U2025-12-19张健、张会安、王勃、卫照洋、宋建、周敏、赵树春、高立志、张长银、滕永懂35一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411546268.52024-11-01CN119061481B2025-03-14宋猛、王振行、高超、王凯、薛成业、苗泽、许长波36一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法发明专利授权、公布CN202411546269.X2024-11-01CN119041030B2025-04-18宋猛、杨晓俐、张九阳、许长波、徐光明、王凯、高超37一种高温真空炉旋转主轴的电信号传递结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411483925.62024-10-23CN119321804A2025-01-17张健、宋建、马振华、程望、窦文涛、周敏、赵树春、高立志38一种n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411417854.X2024-10-11CN119287518A2025-01-10高宇晗、高超、方帅、王路平、王宗玉、石志强、杨晓俐、宁秀秀39一种碳化硅晶体循环生产过程中废弃物料自动铲凿装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411335517.62024-09-24CN119077989A2024-12-06宋建、张健、李文强、庞茂鑫、陈一栋、赵树春、周敏、薛传艺、窦文涛、高立志40一种缝隙扳手实用新型授权CN202422144280.52024-09-02CN223466222U2025-10-24张会安、张健、宋建、周敏、高立志、薛传艺、张长银、赵建国、滕永懂41一种3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打标方法及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202411193279.X2024-08-28CN118848262A2024-10-29宋猛、俆光明、党一帆、王凯、王旗、刘硕、李祥皓、高超42一种确定3C-SiC晶体晶向的方法及一种确定3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜打标方向的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411193290.62024-08-28CN119104579A2024-12-10宋猛、党一帆、王凯、王旗、俆光明、杨晓俐、刘硕、舒天宇、高超43一种降低碳化硅单晶制备成本的液相生长用坩埚及液相制备方法发明专利公布CN202410997446.X2024-07-24CN118910714A2024-11-08党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈鹏磊、宋建、周敏、赵树春、赵建国44一种新型碳化硅晶体生长坩埚实用新型授权CN202421404249.42024-06-19CN222809590U2025-04-29赵光利、史建伟、许登基、杨振鲁、袁祥瑞45一种齿圈衬套内衬更换工装及更换设备实用新型授权CN202421153738.72024-05-24CN222289820U2025-01-03杨洋、刘乐乐、郑柯、宋健、周敏、赵树春、窦文涛、王雅儒、高立志、薛传艺、张长银、赵建国、滕永懂46一种用于长晶炉感应线圈的升降装置及其安装方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410640686.42024-05-22CN118497899A2024-08-16朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇47一种用于长晶炉感应线圈的升降装置实用新型授权、公布CN202421130329.52024-05-22CN222274793U2024-12-31朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇48一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件发明专利授权、公布CN202410586417.42024-05-13CN118147740B2024-08-13高超、高宇晗、杨晓俐、石志强、彭红宇、潘亚妮、方帅49一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411279470.62024-05-13CN119121384A2024-12-13高超、石志强、杨晓俐、潘亚妮、高宇晗、方帅、彭红宇50一种金刚石衬底的表面处理方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410579028.92024-05-11CN118143760B2024-07-05王旗、刘硕、朱灿、马立兴、李硕、宋猛、王凯、徐光明、刘旭、隋晓明