国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“外延结构及其制备方法、发光二极管”的专利，公开号CN122439443A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，公开一种外延结构及其制备方法、发光二极管，外延结构包括：依次设置的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和第三半导体层；所述第二半导体层和所述多量子阱层中均含有In元素、Ga元素和N元素；其中，所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面具有多个第一凹槽。

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作者：情报员