在2026年第二季度财报电话会议上，台积电董事长兼总裁魏哲家宣布，将向美国亚利桑那州项目追加1000亿美元的投资，以支持2nm晶圆厂及先进封装和测试设施的建造。台积电最早投资650亿美元在亚利桑那州建造Fab 21，去年初追加了1000亿美元，加上今年的部分，使得投资总额已经达到了2650亿美元，涵盖10座晶圆厂和2座先进封装厂，另外还有1间主要的研发团队中心。

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据Wccftech报道，近日台积电首席财务官（CFO）黄仁昭在接受媒体采访时表示，决定对美国亚利桑那州的投资是看到当地客户强劲的需求，这是一个多年结构性的需求增长，对于半导体和人工智能（AI）未来的行情非常乐观。

据黄仁昭介绍，亚利桑那州凤凰城的Fab 21在第一阶段采用N4工艺，已经启动并运行，良品率与中国台湾的晶圆厂同样出色；第二阶段很快就来到搬运工具的部分，将支持N3工艺，预计2027年下半年开始投产；第三阶段将引入N2工艺，已经开始建设工程；第四阶段是当地先进封装设施的第一阶段，准备工作已经开启。工程的进度取决于市场状况和客户需求，台积电也希望尽快完成。

黄仁昭承认，台积电在海外的产能扩张成本更高，在美国建设工厂的投入是中国台湾的四到五倍。海外工厂也会带来盈利稀释效应，预计第一阶段就会开始，盈利能力将得到提升，到了第二阶段会逐步改善。在2024年至2029年的五年期间，稀释效应起初每年为2%至3%，随后将扩大至每年3%至4%，随着晶圆厂规模不断扩大而提速。