国家知识产权局信息显示，保定中创燕园半导体科技有限公司;北京大学申请一项名为“一种复合图形化衬底及其制备方法和应用”的专利，公开号CN122458569A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种复合图形化衬底及其制备方法和应用，该衬底包括：蓝宝石基底层；和设置于所述蓝宝石基底层上的图形结构层，其中，所述图形结构层包括周期性的多个凸起结构，其中每个所述凸起结构包括自下而上依次层叠的以下三种材料：蓝宝石根部；Pt金属膜夹层；和异质材料图形。本发明通过将Pt金属膜夹在蓝宝石基底层和异质材料图形之间，有效提升了GaN-LED的发光效率。同时，该设计巧妙地解决了金属反射层影响GaN单晶生长的问题，实现了高效率的LED器件外延制备。此外，本发明的制备方法简便、成本低，具有良好的产业化前景。

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作者：情报员