国家知识产权局信息显示，华虹集成电路（成都）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN122458760A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件的制备方法包括半导体衬底的互连层表面具有碟形凹陷；形成介质层和硬掩模层，介质层覆盖互连层并填充碟形凹陷；旋涂SOC层和BARC层，SOC层覆盖硬掩模层并填充硬掩模凹陷，SOC层的上表面平坦，BARC覆盖SOC层；形成图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模，干法刻蚀BARC层，以形成图形化的BARC层；以图形化的光刻胶层和图形化的BARC层为掩模，干法刻蚀SOC层，以形成图形化的SOC层，并暴露硬掩模凹陷；以图形化的光刻胶层、图形化的BARC层和图形化的SOC层为掩模，干法刻蚀硬掩模层，形成图形化的硬掩模层。如此得到的图形化的硬掩模层上无任何的膜层残留，且硬掩模层也无过刻蚀损耗，利于产品良率。

天眼查资料显示，华虹集成电路（成都）有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2280000万人民币。通过天眼查大数据分析，华虹集成电路（成都）有限公司参与招投标项目156次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可129个。

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作者：情报员