国家知识产权局信息显示，山东国镓晶谷半导体科技有限公司申请一项名为“一种氧化镓生长中掺杂均匀性的调节方法、设备及介质”的专利，公开号CN122446329A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本申请公开了一种氧化镓生长中掺杂均匀性的调节方法、设备及介质，涉及半导体单晶材料制备技术领域。方法包括：在氧化镓单晶进入等径生长阶段后，实时采集晶体多点位电阻率信号，并同步采集实时工艺参数；将电阻率信号反演为对应晶体点位的载流子浓度数据与掺杂浓度数据，并将实时工艺参数与载流子浓度数据及掺杂浓度数据进行时间戳对齐，以构成关联数据；将关联数据输入至预训练的调控模型，以基于调控模型进行均匀性偏差趋势预测，获得均匀性预测偏差值；判断均匀性预测偏差值是否大于预设允许阈值，若大于，基于均匀性预测偏差值生成工艺参数调控指令，并下发执行工艺参数调控指令。

天眼查资料显示，山东国镓晶谷半导体科技有限公司，成立于2021年，位于济南市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东国镓晶谷半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员