来源：新浪证券-红岸工作室

7月25日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“研磨时间的调整方法、研磨方法、装置、研磨机台及设备”的专利，授权公告号CN121928457B，授权公告日为2026年7月21日。申请公布号为CN121928457A，申请号为CN202610371912.2，申请公布日期为2026年7月21日，申请日期为2026年3月25日，发明人李颖超、金文祥、陈义元、彭萍、王伟祥，专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司，专利代理师梁燕飞，分类号B24B37/04、B24B37/10、B24B1/00、B24B7/22、B24B27/00、B24B37/013。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种研磨时间的调整方法、研磨方法、装置、研磨机台及设备，该方法包括：获取当前批次中单片晶圆的预估研磨时间；获取上一批次中单片晶圆的研磨时间设定值；计算当前批次中单片晶圆的预估研磨时间与上一批次中单片晶圆的研磨时间设定值的第一差值；在第一差值不为零的情况下，将当前批次中单片晶圆的预估研磨时间与研磨补偿时间的和，作为当前批次首片晶圆的研磨时间设定值，将当前批次中单片晶圆的预估研磨时间作为当前批次首片之后晶圆的研磨时间设定值。本申请实施例改善了批次切换初期的首片效应，提升了当前批次晶圆至晶圆的膜厚均匀性。

晶合集成是国内领先的专注于晶圆代工的特色工艺厂商，2015年5月19日成立，2023年5月5日登陆上海证券交易所，注册地与办公地均位于安徽省合肥市。

晶合集成核心从事12英寸晶圆代工业务，聚焦先进工艺研发应用，为客户提供多制程节点、多工艺平台的晶圆代工服务，所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，覆盖MCU概念、集成电路、半导体产业等热门概念板块。

2025年，晶合集成实现营业收入108.85亿元，在7家同行业可比企业中排名第4，该赛道头部企业中芯国际、华虹宏力营收分别达673.23亿元、172.91亿元，行业平均营收为166.12亿元，公司营收与行业中位数持平；当期归母净利润为4.66亿元，同样位列行业第4，头部企业中芯国际、赛微电子净利润分别为72.09亿元、13.88亿元，行业平均净利润9.67亿元，公司净利润也与行业中位数持平。业务结构方面，集成电路晶圆制造代工为核心收入来源，贡献营收103.57亿元，占比95.14%，其他补充业务营收4.97亿元占比4.57%，剩余其他业务营收3176.68万元占比0.29%。

指标类别 具体指标 数值/详情 营收表现 2025年营业收入 108.85亿元（行业4/7） 营收表现 行业头部营收 中芯国际673.23亿元、华虹宏力172.91亿元 营收表现 行业平均营收 166.12亿元 营收表现 行业营收中位数 108.85亿元 营收结构 集成电路晶圆制造代工 103.57亿元，占比95.14% 营收结构 其他(补充) 4.97亿元，占比4.57% 营收结构 其他 3176.68万元，占比0.29% 利润表现 2025年净利润 4.66亿元（行业4/7） 利润表现 行业头部净利润 中芯国际72.09亿元、赛微电子13.88亿元 利润表现 行业平均净利润 9.67亿元 利润表现 行业净利润中位数 4.66亿元

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞2晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲3光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康4半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明5一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰6一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳7半导体器件及其制备方法、芯片发明专利公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃8一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛9一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成10一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙11半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕12半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰13文本识别方法、系统及存储介质发明专利公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞14一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿15一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康16晶圆的量测方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610813374.82026-06-08CN122349353A2026-07-07蒋智17一种半导体结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮18半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥19用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质发明专利公布CN202610796173.12026-06-04CN122396285A2026-07-14陈弋轩20缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610789298.12026-06-03CN122336446A2026-07-03李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕21一种SRAM最小工作电压的量测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610788371.32026-06-03CN122337290A2026-07-03沈洁、田志锋、刘波22半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610778881.22026-06-02CN122340888A2026-07-03张盖、南子昱、王雪23干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强24MOM电容结构的SPICE模型的建立方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610759023.32026-05-29CN122311103A2026-06-30胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然25半导体结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610761688.82026-05-29CN122318267A2026-06-30张德培、周宁宁、王梦慧26晶圆清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610747037.32026-05-28CN122270072A2026-06-23刘苏涛、曹平27半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610740384.32026-05-27CN122265950A2026-06-23毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪28栅极介质层的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610741566.22026-05-27CN122269774A2026-06-23周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先29一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610729686.02026-05-26CN122341196A2026-07-03李文超、杨智强、林子荏、张旭30半导体器件的外延层结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕31安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小32图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛33接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕34半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕35半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610695713.72026-05-20CN122318270A2026-06-30魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞36一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩37集成功率器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全38一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平39检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬40一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳41LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品发明专利授权CN202610667846.32026-05-15CN122205903B2026-07-24陈晓妍、王梦慧42一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏43半导体版图结构及双栅氧化层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强44一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏45芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬46半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春47一种半导体器件的测试方法及测试装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲48光阻层的形成方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明49半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚50半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露