目前的大规模芯片制造工艺，均是光刻工艺。
而光刻工艺中，最重要的是设备是光刻机，而必须的材料则是光刻胶，光刻机、光刻胶、光刻工艺是一一对应的。
光刻机分为G线I线，KrF，EUV等，光刻胶也是这样划分的，对应着不同的工艺，不能混用。
大家也都清楚，目前在光刻胶领域，我们对外依赖严重，以前我们的光刻胶自给率都不么10%，90%以上靠进口。
这几年中国光刻机不断的突破，但实际上自给率也不太高，数据显示，2024年时中国光刻胶整体国产化率为23.1%，而到2025年时，提高到了28.3%。
但是，这只是整体数据，具体来看，结构性分化严重一-g/i线已达65.4%，KrF达22.7%，而ArF浸没式不足3%,EUV为零。
越高端的，我们的份额越差，最高端的EUV，我们份额为0，真正能够替代的，只是低端产品而已。
而光刻胶最厉害的，大家自然也清楚，那必须是日本。
按照机构的数据，日本企业占了全球80%的市场，再是美国占了5%，中国企业只占了全球3%左右的市场，中国与日本相比，差的实在是太远了。
日本有很多在光刻胶领域很强的企业，比如东京应化、JRS、信越化学、富士电子材料、住友化学等，这些都排在最前面。
并且，全球EUV光刻胶，只有日本能造，其它国家都造不出来，完全掌握在日本企业手中，可见日本在这一块有多厉害了。
更重要是，日本最近一直在搞风搞雨的，不时的传出要断供光刻胶的消息，一旦断供，对中国的晶圆企业影响还是蛮大的。
对于65nm及以上的这种成熟芯片，影响可能不太大，但是对于40nm及以下的先进工艺，影响还是较大的，毕竟我们自己制造不出来，一旦断供了，可怎么办？
上图是如果真的断供，对不同的工艺，以及对国内的一些企业的影响，大家可以看到，对有些企业的风险还是相当高的，比如中芯的N+2、N+3这些先进工艺，那确实影响不小。
所以说，在光刻胶这一块，我们还有很多课要补，不说马上要把EUV搞出来，至少要先达到14nm、7nm这样的水平才行，才能不怕被日本断供，你觉得呢？
上图是机构给出的国产化突破时间表，预计到2027年，我们在浸润式光刻胶这一块，可以达到5-10%的国产化，但EUV依然是为。
预计要到2030年，才有可能实现EUV零的突破，预计要到2035年才不怕被断供，所以形势在目前还是很紧张的。
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