芯片制造离不开光刻工艺，光刻机是核心设备，光刻胶则是必不可少的关键材料。
两者搭配对应的光刻工艺，G/I 线、KrF、ArF、EUV 分级清晰，不同类型光刻胶不能混用。长久以来，光刻胶领域高度依赖进口，国产化推进虽有进展，但呈现出严重的两极分化。
从行业统计数据来看，2024 年国内光刻胶整体国产化率仅有 23.1%，2025 年小幅提升至 28.3%。
拆分品类差距一目了然：G/I 线光刻胶国产化率达到 65.4%，KrF 光刻胶为 22.7%，而 ArF 浸没式光刻胶不足 3%，技术最顶尖的 EUV 光刻胶国产化份额依旧是零。
简单来说，我们只能在低端产品实现替代，越往先进制程走，短板就越突出。
全球光刻胶市场的话语权牢牢掌握在日本企业手中。机构数据显示，日本厂商占据全球八成市场份额，美国占 5%，国内企业合计仅占 3%。东京应化、JSR、信越化学、富士电子材料、住友化学都是行业头部玩家。
更关键的是，全世界仅有日本企业能够量产 EUV 光刻胶，高端材料形成独家垄断。
近些年市场时常传出日本限制光刻胶供应的消息，潜在断供风险时刻牵动国内晶圆厂的神经。对于 65nm 及以上成熟制程，冲击相对有限；但 40nm 及以下先进工艺高度依赖进口高端光刻胶，一旦供货受阻，生产就会遭遇麻烦。像中芯国际 N+2、N+3 这类先进工艺，受影响的风险尤为突出。
不少人会问，既然风险这么大，国产替代何时才能跟上？按照机构给出的产业预判，突破之路十分漫长。预计到 2027 年，ArF 浸润式光刻胶国产化率有望提升至 5% 至 10%，但 EUV 光刻胶依旧没有实质性产出；到 2030 年，才有望实现 EUV 光刻胶从零到一的突破；想要形成稳定供应、不再惧怕外部断供，时间窗口预估要到 2035 年。
光刻胶的追赶，不能只盯着难度最高的 EUV。眼下最现实的目标，是先攻克适配 14nm、7nm 工艺所需的高端光刻胶，筑牢先进制程的材料基础。成熟制程光刻胶的突围已经证明，持续投入、长期攻坚能够实现国产替代。
半导体产业链环环相扣，光刻机广受关注，但光刻胶这类关键材料同样不容轻视。当下的局面提醒我们，国产半导体补短板是一场持久战。只有持续推进材料技术攻关，逐步缩小与海外巨头的差距，国内芯片产业才能真正搭建起安全自主的供应链。
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