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 长鑫存储内存芯片 网络图
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长鑫存储内存芯片 网络图

7月27日,A股迎来历史性一刻。

国产DRAM龙头长鑫科技正式登陆科创板,发行价8.66元/股,开盘报49.5元,涨幅471.59%,总市值一举突破3.31万亿元。截至午间收盘,涨幅扩大至531%,成交1221亿元,创A股单日个股成交额纪录。3.65万亿元的市值,不仅让工商银行、贵州茅台等传统“股王”让出宝座,更超过了英特尔7月24日4657亿美元的收盘市值。

943万户申购,0.47%的中签率,165天走完从申报到注册的全流程——这些数字堆叠出的,是一场属于中国硬科技的资本盛宴。

然而,盛宴的锣鼓越响,越需要一份清醒。

一、

长鑫的崛起,值得所有人为之鼓掌。

2016年成立于合肥,2019年下线中国首颗自主DDR4芯片,从无到有打破三星、SK海力士、美光三巨头对DRAM市场的长期垄断。到今天,按出货量计算,长鑫已成为中国第一、全球第四大DRAM厂商。全球具备IDM完整能力的DRAM企业,不过四家:三星、SK海力士美光,以及长鑫。

其业绩同样令人侧目。2022至2024年累计亏损超300亿元,但2025年首次扭亏为盈,归母净利润18.75亿元;2026年一季度单季营收508亿元,同比增长719%,归母净利润247.62亿元。上半年预计归母净利润500亿至570亿元。从亏损百亿到日赚近三亿,这种“炸裂式”反转,在任何一个产业中都堪称奇迹。而165天的科创板过会速度、579亿元的募资规模,也折射出资本市场的空前认可。

这是一家企业的胜利,也是一个国家产业战略成果的阶段性验收。

二、

但我们必须清醒地认识到,市值3.65万亿元的长鑫,与真正的全球头部之间,还横亘着三条鸿沟。

第一条是市场份额。 据统计,2026年一季度长鑫全球DRAM市场份额约7.6%至8%,而同期的三星约39%、SK海力士约29%、美光约22%。不到10%的市占率,与“A股一哥”的地位形成了某种微妙的反差。

第二条是技术代差。长鑫目前仍以17nm级工艺为主,落后于国际巨头的10nm级先进工艺。更关键的差距在HBM(高带宽存储器)上。这是AI算力爆发催生的最丰厚的利润区。SK海力士已量产HBM4,而长鑫的16纳米HBM3样品2025年10月才送样,HBM3E排在2027年。长鑫超过98%的收入仍来自传统DRAM。这意味着,此轮存储芯片繁荣中最鲜美的蛋糕,长鑫还未真正切到。

第三条是周期的阴影。存储芯片是典型的强周期行业。2026年一季度DRAM产业营收季增81%,但繁荣的另一面永远是过剩。当前全球头部厂商集体加码扩产,三星、SK海力士、美光纷纷加大资本投入。机构预测,最快2028年就可能出现产能过剩。长鑫2025年刚扭亏,累计未弥补亏损仍达366.5亿元。一旦周期逆转,高杠杆的产能扩张将变成沉重的财务包袱。

三、

有人可能会说:市值反映的是未来,不能以当下的市场份额论英雄。这话没错,但“未来”二字恰恰最需要审慎对待。

长鑫此轮业绩爆发,很大程度受益于一个特殊背景:三大厂将先进制程产能倾斜至HBM,通用型DRAM供给短缺,导致价格大幅上涨。换句话说,长鑫是在巨头们“腾笼换鸟”的缝隙中实现了超常规增长。这是一种“被动红利”,而非完全来自自身技术的碾压式突破。

红利能否持续?取决于两个变量:一是AI算力需求能否持续消化HBM产能,让巨头们继续“无暇顾及”传统DRAM市场;二是长鑫自身能否在HBM等高端领域尽快补齐短板,从“捡漏者”变成“分食者”。

长鑫的上市,是中国科技产业的一个里程碑,但远不是终点。

从“全球第四”到“全球前三”,从8%市占率到20%,从17nm到10nm以下,从HBM的缺席者到参与者——每一步都是硬仗,每一仗都绕不开。资本市场可以用涨停板表达情绪,但晶圆厂里的良率爬坡、研发管线里的技术攻关,靠的是日复一日的积累,而不是K线图的一飞冲天。

为中国科技企业的突破叫好理所应当。但叫好之后,更该清醒地看到:我们只是在牌桌上有了一个座位,离成为庄家,还有很远的路。

长鑫的征程才刚刚开始。这场追赶,需要的不仅是资本的狂欢,更是时间的耐心、技术的执着,以及穿越周期的定力。

原标题:《资本狂欢之后,长鑫的征程才刚刚开始 锋面评论》