国家知识产权局信息显示，非结晶公司申请一项名为“低粗糙度薄膜晶体管（TFT）及利用低粗糙度栅电极和高介电常数栅极绝缘体抑制电荷载流子散射的方法”的专利，公开号CN122477776A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明的实施方式提供了一种方法，包括：在具有非晶金属栅极的薄膜晶体管的栅极绝缘层与半导体层之间的第一界面处的第一点处产生第一电场强度；在第一界面处的第二点出产生第二电场强度；以及通过如下方式使第一电场强度与第二电场强度之间的差异最小化：在非晶态金属栅极的第一表面处形成第一表面粗糙度值；以及在栅极绝缘体的第二表面处形成第二表面粗糙度值，第一表面粗糙度值与第二表面粗糙度值彼此的差值小于10%。

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作者：情报员