国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“双面散热型氮化镓MOS结构及在机器人大电流关机场景中的应用”的专利，公开号CN122476636A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，且公开了双面散热型氮化镓MOS结构及在机器人大电流关机场景中的应用，包括衬底、氮化镓结构以及MOS结构，其中氮化镓结构和MOS结构前后并列设置于衬底的上方，所述氮化镓结构从下向上依次包括缓冲层、氮化镓层、氮化铝镓层，所述氮化铝镓层的表面左右两侧分别沉积有金属极一和金属极二，所述氮化铝镓层的表面且位于金属极一和金属极二之间设有G1栅极和G2栅极，所述G1栅极和G2栅极的下方均沉积有P氮化镓层。本发明通过集成由P型材料和N型材料构成的二极管与由银电极层和氧化钽层构成的忆阻器，使G1栅极、G2栅极与G3栅极之间实现选择性耦合控制，仅向G3栅极施加电压时二极管阻止电流反向注入G1栅极。

天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本909.1341万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息210条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员