来源：新浪证券-红岸工作室

7月29日消息，国家知识产权局信息显示，东芯半导体股份有限公司申请一项名为“放大器电路及该放大器电路的启动方法”的专利。申请公布号为CN122475655A，申请号为CN202610611021.X，申请公布日期为2026年7月28日，申请日期为2026年5月6日，发明人蒋徐前，专利代理机构上海专利商标事务所有限公司，专利代理师俞丹，分类号H03F3/45、G11C11/4091。

专利摘要显示，本发明涉及放大器电路及该放大器电路的启动方法。提供了一种放大器电路，包括功能部，功能部包括至少一个有源负载和至少一个差分输入对，其中至少一个有源负载连接到至少一个差分输入对的输出端；输入部，输入部包括输入使能信号的输入管和对使能信号进行偏置以输出偏置信号的尾电流管，其中尾电流管的输出端连接到至少一个差分输入对的输入端；以及脉冲生成部，脉冲生成部与输入部并联到至少一个差分输入对的输入端，其中脉冲生成部从使能信号生成脉冲信号，以使脉冲信号与偏置信号一起输入至所述功能部。

东芯股份是国内中小容量通用存储芯片领域领先厂商，聚焦高可靠性存储产品研发，具备自主可控的核心技术壁垒。公司成立于2014年11月26日，于2021年12月10日在上海证券交易所上市，注册地与办公地均位于上海市。

东芯股份主营业务聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计，同时覆盖存储概念、半导体产业、半导体三大概念板块。

2025年，东芯股份实现营业收入9.21亿元，在所属54家同行业企业中排名第39位，同期行业营收第一名长鑫科技达617.99亿元、第二名豪威集团为288.55亿元，行业营收平均数为48.9亿元、中位数为16.67亿元；营收结构中NAND产品贡献6.01亿元占比65.20%，MCP产品贡献2.31亿元占比25.05%，DRAM产品贡献5381.11万元占比5.84%，NOR产品贡献3327.75万元占比3.61%，技术服务贡献273.58万元占比0.30%，其他补充类业务贡献4.72万元占比0.01%。同期公司实现净利润-2.16亿元，在54家同行业企业中排名第45位，行业净利润第一名长鑫科技达71.44亿元、第二名豪威集团为40.32亿元，行业净利润平均数为5.35亿元、中位数为1.68亿元。

指标类别具体指标数值/详情行业排名/总样本数经营业绩2025年营业收入9.21亿元39/54经营业绩2025年行业营收第一名长鑫科技617.99亿元经营业绩2025年行业营收第二名豪威集团288.55亿元经营业绩2025年行业营收平均数48.9亿元经营业绩2025年行业营收中位数16.67亿元主营业务构成NAND业务营收6.01亿元，占比65.20%主营业务构成MCP业务营收2.31亿元，占比25.05%主营业务构成DRAM业务营收5381.11万元，占比5.84%主营业务构成NOR业务营收3327.75万元，占比3.61%主营业务构成技术服务营收273.58万元，占比0.30%主营业务构成其他补充业务营收4.72万元，占比0.01%经营业绩2025年净利润-2.16亿元45/54经营业绩2025年行业净利润第一名长鑫科技71.44亿元经营业绩2025年行业净利润第二名豪威集团40.32亿元经营业绩2025年行业净利润平均数5.35亿元经营业绩2025年行业净利润中位数1.68亿元

东芯半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1放大器电路及该放大器电路的启动方法发明专利公布CN202610611021.X2026-05-06CN122475655A2026-07-28蒋徐前2NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046596.X2025-12-31CN121862176A2026-04-14陈慧3信号时序控制电路和信号时序控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512042460.12025-12-31CN121884898A2026-04-17俞惠、刘亮、吕军4反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法发明专利公布CN202511837741.X2025-12-08CN121662125A2026-03-13聂明漩5数据串并转换电路、数据串并转换锁存方法及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202511775208.52025-11-28CN121585182A2026-02-27宋东蔚6一种用于非易失性存储器的写入功耗降低的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411981682.92024-12-31CN119905128A2025-04-29曹健睿、陈慧、陈纬荣7上电检测电路及上电检测方法发明专利授权CN202411962901.92024-12-30CN119811459B2026-05-05胡嘉伦8反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411950954.92024-12-27CN119889403A2025-04-25任雪9写操作时序逻辑电路及存储器发明专利授权CN202411937502.72024-12-26CN119864058B2025-12-30宋东蔚10ZQ校准模块及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411799189.52024-12-09CN119724303A2025-03-28俞惠、刘亮11温度传感器电路以及DDR3半导体存储芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202411791946.42024-12-06CN119595133A2025-03-11蒋徐前12LDO电路发明专利实质审查的生效、公布CN202411726655.72024-11-28CN119597082A2025-03-11田铂城、沈凯斌13AB类运算放大器发明专利实质审查的生效、公布CN202411722573.52024-11-28CN119649866A2025-03-18田铂城14反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器发明专利授权CN202411671481.92024-11-21CN119601064B2026-03-06任雪、俞惠15延时电路版图及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411571204.02024-11-06CN119623395A2025-03-14沈凯斌16DDR时钟同步系统和具备该系统的DDR内存芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202411269993.22024-09-11CN119226198A2024-12-31刘浩杰、刘亮、沈凯斌、聂明漩17片内终结电路模块及该片内终结电路模块的数据保持方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411143918.12024-08-20CN119132359A2024-12-13陆秋实、刘亮、李解18锁相环延迟时间调整装置、方法及时钟同步系统发明专利实质审查的生效、公布CN202411005156.92024-07-25CN118824312A2024-10-22刘浩杰、聂明漩19提高NORFLASH配置模块数据准确率的方法、装置、存储介质及存储设备发明专利实质审查的生效、公布CN202410214635.52024-02-27CN118098309A2024-05-28王潇潇20半导体存储器及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410169256.92024-02-06CN118019333A2024-05-10郑明勋21一次可编程存储器、读写方法以及DRAM存储设备发明专利实质审查的生效、公布CN202311767256.02023-12-20CN117746961A2024-03-22胡杰22NAND闪存单元及NAND闪存单元的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311696506.62023-12-11CN117641922A2024-03-01周震、金镇湖23非易失性存储器及其编程方法、计算机系统发明专利实质审查的生效、公布CN202311533307.32023-11-16CN117558322A2024-02-13冯鹏亮24存储器装置及其数据操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311439982.X2023-10-31CN117435140A2024-01-23胡杰25电流镜组的共质心布局及其布局方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311169463.62023-09-11CN117217157A2023-12-12肖陈贵、唐力、赖荣钦、郑龙权、胡杰26NOR闪存存储器的刷新方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202310800165.62023-06-30CN116779001A2023-09-19孙天宇27半导体器件的金属层布局方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310573621.82023-05-19CN116583108A2023-08-11唐力28循环冗余校验电路及DDR存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202310424643.82023-04-19CN116453578A2023-07-18赖荣钦29写入均衡检测器、写入均衡检测电路及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202310231864.32023-03-10CN116524972A2023-08-01郑龙权30NAND闪存及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202211729243.X2022-12-30CN115988881A2023-04-18金镇湖31NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202211708522.82022-12-29CN115831203A2023-03-21沈嘉怡32非易失性存储器及其数据读取方法、计算机系统发明专利授权CN202211503529.62022-11-28CN115841838B2026-02-03王潇潇33非易失性存储器的编程方法以及存储装置发明专利实质审查的生效、公布CN202211280334.X2022-10-19CN115602232A2023-01-13冯鹏亮34非易失性存储器及其擦除方法、计算机系统发明专利实质审查的生效、公布CN202211123715.72022-09-15CN115440284A2022-12-06陈慧35用于过擦除修复的方法和存储装置发明专利授权、公布CN202210961804.22022-08-11CN115295056B2025-05-13陈纬荣36间隔振荡器及其控制方法、以及具备该间隔振荡器的存储器发明专利授权CN202210949585.62022-08-09CN115295034B2025-09-30赖荣钦37振荡周期匹配装置、方法、存储器及计算机可读取介质发明专利授权CN202210871210.22022-07-22CN115118256B2025-11-14赖荣钦38一种占空比调节器发明专利实质审查的生效、公布CN202210849664.X2022-07-19CN115116505A2022-09-27赖荣钦39一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849957.82022-07-19CN115116506B2025-08-15赖荣钦40一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849584.42022-07-19CN115132243B2025-08-19赖荣钦41一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849633.42022-07-19CN115001454B2025-08-26赖荣钦42存储器及其去耦方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210767899.42022-06-30CN115064194A2022-09-16赖荣钦43具有校准功能的存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202210767408.62022-06-30CN115064193A2022-09-16赖荣钦44存储器及其去耦方法发明专利授权CN202210768197.82022-06-30CN115064195B2026-07-14赖荣钦45存储器发明专利授权、公布CN202210714079.92022-06-22CN115188407B2025-09-09赖荣钦46时序转换装置、方法、写入均衡系统及计算机可读取介质发明专利授权、公布CN202210699757.92022-06-20CN115021725B2025-06-27赖荣钦47CAM单元检查模块及其检查方法发明专利授权、公布CN202210288757.X2022-03-23CN114649049B2025-08-29方斗敬48用于输入缓冲器的偏移消除校准电路的自对准控制电路发明专利授权CN202210277707.12022-03-21CN114613402B2026-01-30赖荣钦49非易失性存储器装置及其操作方法发明专利授权CN202210222692.92022-03-09CN114613410B2025-11-21林钟观50半导体器件发明专利授权、公布CN202210207403.82022-03-04CN114582832B2025-07-29苏万锡、李海旭