国家知识产权局信息显示，泉芯电子技术（深圳）有限公司申请一项名为“CMOS工艺中实现浮地电容功能的电路结构及其应用”的专利，公开号CN122476671A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明涉及电容电路技术领域，具体涉及CMOS工艺中实现浮地电容功能的电路结构及其应用，电路结构包括：两个相同容值的N阱电容，以及两个相同容值的PMOS电容；两个所述N阱电容以背靠背方式串联连接，两个所述PMOS电容以背靠背方式串联连接，且两个所述N阱电容的串联支路与两个所述PMOS电容的串联支路并联连接，共同构成浮地电容的两端。

天眼查资料显示，泉芯电子技术（深圳）有限公司，成立于2005年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，泉芯电子技术（深圳）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可4个。

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作者：情报员