2026年7月30日，瑞萨电子发布第三代DDR5多路复用双列直插式内存模块（MRDIMM）解决方案。该方案可支撑服务器级DDR5 MRDIMM实现最高16000 MT/s的接口速率，精准匹配人工智能（AI）数据中心、云基础设施与加速计算场景对高内存带宽的持续增长需求。
当前，AI 大模型参数规模持续扩张，各类计算工作负载的数据吞吐强度不断提升，系统架构师普遍面临“带宽升级与平台兼容难以兼顾”的设计挑战，既要快速提升内存带宽上限，又要尽可能复用现有服务器平台架构，控制升级成本。
第三代MRDIMM解决方案在完整复用现有DDR5基础设施的基础上，内存带宽较第二代产品提升 25%。核心器件覆盖 MRCD、MDB、电源管理芯片（PMIC）、串行存在检测（SPD）集线器以及温度传感器，形成完整的内存接口芯片矩阵。这种平台化布局能够帮助客户实现 MRDIMM 性能的跨代平滑升级，同时保留设计延续性，大幅缩短产品研发与商用落地周期。
第三代MRDIMM方案基于成熟量产的第二代 MRDIMM 架构迭代开发，在性能大幅扩展的同时，完整保留了标准 DIMM 的物理外形尺寸与底层系统兼容性。此外，新一代方案还针对系统可观测性与运行稳健性做了强化升级，新增设备均衡自训练模式（DESTM）质量指示状态功能，支持用户精细化调整时序参数与接收端均衡训练策略，最大化信号裕量，提升复杂负载下的内存运行稳定性。
除核心性能提升外，瑞萨第三代MRDIMM解决方案在设计阶段就将系统级能效优化作为核心目标，通过架构层面的精细化设计降低单位带宽的功耗开销，帮助客户在系统层面平衡带宽增长需求与散热、功耗预算的矛盾。详细的代际功耗对比数据，将在正式产品规格文档中同步披露。
在商业化进度方面，第三代MRDIMM核心芯片，包括MRCD（RRG5013x 系列）和 MDB（RRG5103x 系列）目前已启动定向样片交付，首批样片覆盖包含头部DRAM 供应商在内的核心合作客户；产品预计将于 2027 年下半年正式实现大规模量产供货。
瑞萨电子最后表示，将于8月4日至 6日在加利福尼亚州圣克拉拉举办的FMS 2026（闪存与内存峰会，Flash Memory Summit）上，全面展示第三代MRDIMM解决方案。展品涵盖支撑下一代 MRDIMM 性能突破的第三代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD，型号 RRG5013x 系列）与多路复用数据缓冲器（MDB，型号 RRG5103x 系列）两大核心器件。
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