国家知识产权局信息显示，上海深明奥思半导体科技有限公司取得一项名为“一种1T1PFC顺铁电存储单元、存储器阵列”的专利，授权公告号CN224582011U，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本申请涉及存内计算存储器技术领域，尤其涉及一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列。所述1T1PFC顺铁电存储单元，包括：硅衬底，所述硅衬底上设有有源器件区，所述有源器件区上形成有存储晶体管，所述存储晶体管的栅极堆叠上形成有存储栅极线，所述存储栅极线上形成有顺铁电电容器。本申请的1T1PFC顺铁电存储单元，使用一条专用存储栅极线，防止1T1PFC顺铁电存储单元写入后自发电荷耗散，增强了数据保留能力。

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作者：情报员