存储涨价逻辑再强化！高盛开展韩国存储专家电话会：存储价格中枢将维持高位，HBM明年价格或翻倍|hbm|三星|知名企业|韩国|高盛

投资者内参丨魏茜倩

高盛7月28日举办韩国存储行业专家线上研讨会，次日发布完整纪要。会上，韩国本土存储行业专家分享了对产业链的最新判断，高盛同步维持三星电子买入评级。

研讨会围绕DRAM与HBM价格走势、长期供货协议、海内外存储厂商供给格局、行业产能增量、混合键合封装技术五大议题展开分析，纪要梳理出五大产业观点：2026年DRAM全年价格维持上行趋势，2027年HBM存在大幅涨价空间；长期供货协议对供需具备强约束作用；国内存储厂商近中期竞争压力有限；行业产能投放提速，但有效存储比特增量不及历史水平；混合键合技术将循序渐进完成行业落地。

DRAM全年涨价，HBM明年存在翻倍空间

韩国存储专家给出价格相关研判，当前市场存在“涨价临近尾声”的主流观点：2026年三季度传统DRAM现货价格将录得两位数环比涨幅，四季度受持续供给短缺支撑，有望再度实现两位数环比上行；受DRAM成本抬升传导，明年HBM价格存在翻倍可能性。

现货市场近期持续走强，已经提前验证三季度涨价逻辑。高盛进一步量化测算，预计2027年三星HBM售价同比涨幅达87%，大幅高于彭博统计的52%行业一致预期。市场当下分歧集中在HBM价格持续性：乐观资金认为AI服务器算力需求长期刚性，高价格局可维持至2028年；谨慎资金担忧云厂商削减AI资本开支，高位存储需求存在松动风险。

长期供货协议降低短期业绩波动，远期或有隐患

韩国存储专家介绍，长期供货协议（LTA）设置大额预付款、照付不议、高额违约取消费等多重约束条款，当前超半数服务器DRAM产能已纳入长协覆盖，后续协议占比仍将持续提升。

AI产业爆发前，存储行业以季度短期合约为主，价格波动幅度极大；而高端服务器DRAM、定制化HBM需要上下游长期协同开发，头部云厂商主动签订2至5年长协锁定产能。

对三星、SK海力士等龙头而言，长协大幅抬升营收确定性，平滑周期波动；但韩国存储专家也提示远期隐患，若2028年行业供需转向宽松，多年期锁价合约或将造成厂商盈利承压。

国内存储厂商短期难冲击全球头部，2-3年产能释放或致供给压力

专家指出，中国存储厂商虽持续加码产能扩张，但生产良率、制程工艺、产品可靠性仍存在显著差距，近中期难以对全球头部企业形成实质性竞争威胁。

二级市场上有一部分投资者担忧长鑫、长江存储持续扩产会分流全球订单，提前终结存储景气周期。

本次专家观点给出反向判断，产能规模不等于有效高端供给，国产厂商当前仅能抢占中低端通用DRAM市场，高端HBM、服务器存储赛道准入门槛短期无法逾越；若2至3年后国产芯片良率完成爬坡，叠加全球新增产能释放，行业供给过剩压力将明显上升。

产能扩张难缓解供给紧张

1、HBM挤占晶圆资源，有效存储比特增量不及历史均值

专家认为，今年行业晶圆产能投放力度高于历史水平，但HBM芯片晶圆消耗比例偏高，整体存储比特供给增速将低于行业历史平均。市场普遍存在认知误区，简单将晶圆扩产等同于存储供给放量。实际生产中，同等晶圆面积制造HBM会消耗更多裸片，头部厂商大量先进产线转向HBM生产后，流入通用市场的有效存储容量持续收缩，供需紧平衡格局难以快速改善。

2、先进封装量产门槛高，混合键合技术渐进式落地

专家指出，堆叠层数提升推高现有键合工艺难度，但大规模量产稳定良率需要漫长研发周期，混合键合不会提前商用，行业将同步探索无助焊剂键合等替代方案。此前市场炒作混合键合为明年存储板块核心催化，认为新技术可支撑16层、20层超高堆叠HBM放量。本次专家判断直接修正乐观预期，短期行业将优化现有键合工艺延长技术路线生命周期，混合键合全面普及时点大幅延后，相关设备、材料板块估值逻辑迎来重估。

三星电子评级与潜在风险

基于本次电话会产业判断，高盛维持三星电子普通股、优先股买入评级：采用2026-2027年EV/EBITDA分部估值法，普通股12个月目标价48万韩元，优先股目标价36万韩元，优先股相对普通股折价25%。