现在的存储芯片短缺就是因为AI市场需求旺盛引起的，而2027年全球存储器市场需求仍由AI应用主导。受AI服务器需求强劲推动，DRAM因HBM持续排挤产能，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。相比之下，NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求走弱的背景下，下半年供给或趋宽松，价格面临下行压力。
TrendForce指出，为应对AI基础建设扩张，各大DRAM原厂已启动产能扩充计划。2026年供应商通过提高既有厂区产能、加速制程升级来支撑位元供给扩张。2027年虽有数家供应商规划新产能投产，但受限于建厂工期、设备移机等约束，多数新厂投片放量落在下半年，显著产出贡献要在2028年才能体现。
更关键的是，HBM制造流程所需的晶圆投入远高于一般DRAM，新增投片量无法等比例转换为有效位元产出，这将限制2027年DRAM整体供给成长幅度。
在需求端，北美云端服务商持续提高资本支出，英特尔、AMD新一代CPU平台加速出货，加上Agentic AI逐步商业化，2027年全球服务器出货量增速将较2026年的17%进一步扩大。单机HBM搭载容量增长及SOCAMM等新规格导入，也显著拉动单机存储容量。反观智能手机、笔记本等消费终端，因成本转嫁导致整机售价上调，消费意愿受抑，出货预计延续下滑。
预计2026年DRAM供需差额约-1%至-2%，由于需求增长持续超过供应扩张，2027年供需缺口将进一步扩大。
2026年NAND Flash原厂主要通过制程升级增加位元供给。由于AI服务器、高容量企业级固态硬盘需求旺盛，供应商持续提高企业级SSD的供给比重，以规避消费端需求平淡可能带来的获利风险。随着各大厂加速升级至高层数产品，以及新厂产能逐步释放，2027年位元供给成长幅度将超越2026年，市场产出规模迎来显著扩张。
在需求端，服务器部署需求稳健，云端服务商与企业客户对高速、大容量企业级SSD的采购力度强劲。其中，QLC SSD表现最为突出，凭借更高的存储密度和更具竞争力的单位成本，将成为支撑2027年NAND Flash位元需求增长的核心动力。相较之下，消费电子市场因终端售价陆续上调，消费电子产品的需求预计将保持低迷。
2027年NAND Flash供需充分比将转为正值，表明市场将从供应受限的环境过渡到更加平衡的市场环境。在产能陆续释放、消费电子需求仍偏弱的情况下，价格可能面临一定下行压力。然而，若Agentic AI的普及取得突破性进展，AI服务器对高速SSD的需求将再度大幅拉升，届时整体供需格局或重新趋近平衡。
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