国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有包含电源相关电阻的感测架构的非易失性存储器”的专利，公开号CN122493899A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本公开涉及一种具有包含电源相关电阻的感测架构的非易失性存储器。半导体装置(300A)包括NVM阵列(302)，所述NVM阵列包含布置成行和列的多个位单元，每列位单元与对应的位线相关联，其中位单元(350)包含选择晶体管(354)和存储晶体管(352)。所述半导体装置(300A)包含多个感测接口电路，每个感测接口电路(313‑1)设置在相应的位线(308‑1)与对应的感测放大器(377)之间，其中感测接口电路(313‑1)包含具有节点(Vdn)的感测路径晶体管(371A)，所述节点可配置以具有由电压相关电阻(361)调制的电压。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员