国家知识产权局信息显示，重庆吉芯科技有限公司申请一项名为“一种三模式可配置的正温度系数电流产生电路”的专利，公开号CN122488887A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种三模式可配置的正温度系数电流产生电路；该电路包括：NTC电阻与开关电容结合型PTAT电流源和三极管型PTAT电流源均连接NMOS管N4的漏极，GM‑C积分器连接NMOS管N4的漏极和栅极，多路选择开关控制信号生成电路连接NTC电阻与开关电容结合型PTAT电流源和三极管型PTAT电流源，并作为三种PTAT电流源的开关；三种PTAT电流源分别为双极型晶体管型PTAT电流源、负温度系数电阻型PTAT电流源和开关电容型PTAT电流源；本发明解决传统单一方案存在的调节灵活性差、噪声性能受限、工艺适应性低等问题，提升芯片的综合性能最优化和产品良率。

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作者：情报员