国家知识产权局信息显示，剑桥氮化镓器件有限公司申请一项名为“包括短路检测电路的半导体开关”的专利，公开号CN122498100A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，一种半导体开关，包括第一主端、第二主端和控制端，所述半导体开关进一步包括：一III‑氮化物高电子迁移率晶体管（HEMT），所述III‑氮化物HEMT包括第一源极端、第一漏极端和第一栅极端；一第一接口电路，可操作地连接到控制端和第一栅极端；感测晶体管，所述感测晶体管包括感测源极端、感测漏极端和感测栅极端；以及第二接口电路，可操作地连接到控制端和感测栅极端；其中，感测晶体管被配置用来感测III‑氮化物HEMT的导通状态漏极电压；其中，第二接口电路被配置为使感测电压信号传送到第一接口电路，所述感测电压是基于III‑氮化物HEMT的导通状态漏极电压；其中，第一接口电路被配置为，当感测电压信号超出阈值电平时，关闭III‑氮化物HEMT和/或减小第一栅极端上的电压。

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作者：情报员