国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“用于晶片上过程改进的控制RF功率”的专利，公开号CN122494531A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，根据一个实施例，公开了一种用于调节输送到等离子体室的RF功率的系统。一个或多个存储器设备存储关联数据。第一关联数据基于膜厚度值以及对于每个膜厚度值的对应匹配网络值。第二关联数据基于膜厚度值以及对于每个膜厚度值的对应RF功率设置。对于当前晶片运行，控制电路确定当前匹配网络值。使用该值和第一关联数据，确定半导体晶片的当前膜厚度。使用当前膜厚度和第二关联数据，确定对应RF功率设置。基于对应RF功率设置来调节RF功率，以实现在期望膜厚度范围内的新膜厚度。

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作者：情报员