国家知识产权局信息显示，华芯程（上海）科技有限公司申请一项名为“一种优化光刻目标图案的方法及装置”的专利，公开号CN122488438A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种优化光刻目标图案的方法及装置，通过接收光刻目标图案；得到待调边缘段；获取最大调整距离与移动限制规则；得到对应的待调掩膜图案；得到标准仿真轮廓；得到对应的偏差仿真轮廓；计算各个偏差仿真轮廓相比于标准仿真轮廓的工艺变化误差；以最小化包含所有偏差工艺条件对应的工艺变化误差的代价函数为目标，移动待调边缘段，直至代价函数收敛，得到优化掩膜图案；得到光刻参考图案；计算边缘放置误差，并根据边缘放置误差、最大调整距离及移动限制规则调整待调边缘段的位置，得到光刻优化图案。本发明保证了优化后的掩膜图案在制程波动场景下仍能保持稳定的成像效果，扩大了光刻工艺窗口，减少缺陷。

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作者：情报员