国家知识产权局信息显示，北京芯力技术创新中心有限公司申请一项名为“晶圆对晶圆混合键合方法、结构及共封装光学器件”的专利，公开号CN122497414A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种晶圆对晶圆混合键合方法、结构及共封装光学器件，混合键和方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其键合表面均包含介电层以及嵌入所述介电层中的金属互连垫；采用剥离工艺，在金属互连垫的表面选择性地形成铟改性层，铟改性层覆盖所述金属互连垫表面的80%区域，且铟改性层的厚度为5纳米；将所述第一晶圆的键合表面与所述第二晶圆的键合表面对准，使得所述第一晶圆上的铟改性层与所述第二晶圆上的铟改性层相互接触；在200℃的键合温度下，施加压力进行热压键合，使相互接触的所述铟改性层形成瞬时液相，促进所述金属互连垫之间的原子互扩散，实现金属‑金属键合和介电层‑介电层键合。

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作者：情报员