国家知识产权局信息显示，四川磐能新材料科技有限公司;浙江化成天下科技有限公司;四川发展天路电力有限公司申请一项名为“一种碳纳米管垂直阵列负载纳米硅的复合负极材料及其制备方法与应用”的专利，公开号CN122494611A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明涉及复合负极材料制备技术领域，公开了一种碳纳米管垂直阵列负载纳米硅的复合负极材料及其制备方法与应用，制备方法包括步骤：以碳纳米管垂直阵列为三维骨架，通过化学气相沉积法在其表面均匀沉积纳米硅层，形成核‑壳纳米线阵列结构；通过精确控制沉积温度（300‑600℃）、氮气与硅烷流量比（1:1至200:1）及沉积时间（30‑120分钟）等关键参数，实现了纳米硅厚度、结晶性与界面结合的可控制备。该材料充分利用了CVT的高导电性、优异机械强度和有序缓冲空间，有效抑制了硅的体积膨胀，构建了高效的双连续传输网络；将其用于锂离子电池负极，表现出高比容量、长循环寿命、优异倍率性能和高首次库仑效率的综合优势，工艺简单可控，适用于规模化生产。

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作者：情报员