国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“光刻掩膜和图形化方法”的专利，公开号CN122488424A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种光刻掩膜和图形化方法。该光刻掩膜，由主区域和辅助区域两部分构成，辅助区域位于主区域边缘侧。其中主区域用于定义晶圆的正常曝光区域内的目标图形；辅助区域用于定义晶圆中位于正常曝光区域的边缘侧的图形。该辅助区域宽度P需满足：P≥α，α为晶圆边缘曝光工艺波动范围。在曝光过程中，该图形化方法在非最底部一排Shot区只用光刻掩膜主区域进行曝光；在最底部一排Shot曝光时，则利用光刻掩膜的主区域和辅助区域，分别对晶圆的最底部一排Shot区、晶圆识别码附近间隔区进行同时曝光。使晶圆识别码附近的间隔区无金属粘连或剥离的问题，优化了晶圆底部平整度，从而提升后续工艺晶圆制造良率和可靠性。

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作者：情报员