国家知识产权局信息显示，深圳好电科技有限公司申请一项名为“一种导电微球、异方性导电膜及光电器件”的专利，公开号CN122494332A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种导电微球、异方性导电膜及光电器件，该导电微球，包括聚合物微球基材及设在聚合物微球基材的表面的包覆层，包覆层包括第一包覆层以及第二包覆层，第一包覆层设在聚合物微球基材的表面，第二包覆层设在第一包覆层的远离聚合物微球基材的一侧的表面，第一包覆层中镍元素的质量百分含量为M1，第二包覆层中镍元素的质量百分含量为M2，M1大于M2，M1与M2的差值为30%~70%。本申请中第一包覆层中镍元素的质量百分含量M1较高，能够提高导电微球的导电能力，降低其内阻，第二包覆层中镍元素的质量百分含量M2较低，能有效防止第二包覆层发生氧化，降低导电微球的磁性，进而能够提高导电微球的分散均匀性，还能够平衡导电微球的内阻和磁性。

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作者：情报员