国家知识产权局信息显示，山东晶镓半导体有限公司申请一项名为“一种提高HVPE方法生长Fe掺半绝缘氮化镓晶体质量的方法”的专利，公开号CN122484908A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种提高氢化物气相外延（HVPE）方法生长Fe掺半绝缘氮化镓晶体质量的方法。针对现有技术中Fe掺杂导致晶体缺陷密度高、表面形貌差的问题，本发明通过掺杂协同控制，在HVPE生长过程中，同时引入Fe和Si掺杂源，少量的Si原子占据Ga位，通过局部压缩应力抑制位错增殖，同时改善表面台阶流模式，减少V型坑形成，使GaN表面更平滑。

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作者：情报员