国家知识产权局信息显示，成都申益科技有限公司申请一项名为“基于单阱CMOS工艺的高电源抑制比ClassAB输出级电路”的专利，公开号CN122495828A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明属于集成电路技术领域，公开了一种基于单阱CMOS工艺的高电源抑制比ClassAB输出级电路，包括跨导线性环结构或最小电流选择器结构；以及源衬短接的第一PMOS管，其源极接Class AB输出级PMOS管的栅极；负反馈环路，由第二PMOS管、第二NMOS管和第三PMOS管构成；偏置电路，由第三NMOS管和第四NMOS管串联构成。当电源电压升高时，M6源极电压升高，通过负反馈环路调节M6栅极电压从而将其漏极电压稳定在设定值，避免M8发生碰撞电离。最小电流选择器结构采用相似的负反馈环路设计。本发明通过源衬短接的PMOS管承受高压，结合负反馈环路钳位NMOS管源漏电压，有效抑制碰撞电离效应，提升电源抑制比，适用于单阱CMOS工艺。

天眼查资料显示，成都申益科技有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本135.1351万人民币。通过天眼查大数据分析，成都申益科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员