国家知识产权局信息显示，深圳深爱半导体股份有限公司申请一项名为“半导体构件的污染检测方法”的专利，公开号CN122505908A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体构件的污染检测方法，包括如下步骤：提供检测硅片；将检测硅片与待测半导体构件相接触并进行热处理，热处理能够使待测半导体构件中的金属杂质扩散进入检测硅片；将热处理后的检测硅片使用硅腐蚀液进行腐蚀处理；观察腐蚀处理后的检测硅片的表面形貌并判断待测半导体构件是否存在污染。热处理则能够使待测半导体构件中的金属杂质扩散进入检测硅片。使用硅腐蚀液进行腐蚀处理时，存在杂质污染的区域因杂质诱导的晶格缺陷和应力，腐蚀速率会显著高于洁净区域，从而形成可观察的腐蚀形貌特征。本申请的半导体构件的污染检测方法，能够在不破坏待测半导体构件的情况下对半导体构件的污染情况进行检测。

天眼查资料显示，深圳深爱半导体股份有限公司，成立于1988年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本25717.2395万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳深爱半导体股份有限公司参与招投标项目407次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息179条，此外企业还拥有行政许可52个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员