国家知识产权局信息显示，深圳真茂佳半导体有限公司申请一项名为“一种功率半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122514033A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请公开了一种功率半导体器件及其制造方法，包括衬底、外延结构、分裂栅结构、层间介质层、正面金属层及背面金属层；外延结构形成在衬底上，包括阱区、源区、沟槽接触区；阱区具有第二导电类型，沿第一截面方向间隔设置，相邻阱区之间的外延结构为第一结型场效应区；源区具有第一导电类型，与阱区对应设置；沟槽接触区沿第二截面方向，沟槽接触区间隔设置，相邻沟槽接触区之间的外延结构为第二结型场效应区；分裂栅结构设置在外延结构上方；正面金属层与第一结型场效应区及第二结型场效应区接触形成肖特基二极管，肖特基二极管的导通电压低于体二极管的导通电压。本申请通过双肖特基二极管与分裂栅结构协同，可改善器件体二极管双极退化问题。

天眼查资料显示，深圳真茂佳半导体有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3397.636363万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳真茂佳半导体有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员