华邦电子申请半导体装置及其制造方法专利,存储器堆叠层位于系统单芯片与中介层之间
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国家知识产权局信息显示,华邦电子股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利,公开号CN122513995A,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、中介层、存储器堆叠层以及系统单芯片。中介层接合至基板。存储器堆叠层接合至中介层,且通过中介层电性连接至基板。存储器堆叠层包括堆叠在一起的多个存储器管芯。系统单芯片接合至存储器堆叠层。存储器堆叠层位于系统单芯片与中介层之间。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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