“通过重新定义QLC NAND的性能和能效边界，我们的第10代BiCS QLC 3D闪存，同时提升了密度、带宽和能效，为高容量闪存存储设立了新范式，为下一代基础设施应用提供了可扩展的基础。”闪迪首席技术官Alper Ilkbahar在介绍最新BiCS10器件时这样说道。这番话的背后，是铠侠和闪迪在目前举行的未来内存与存储峰会上，正式拿出了全球最高面密度的3D NAND闪存芯片。
这颗编号BiCS10的3D QLC NAND器件，最引人注目的数字是37Gb/mm²。换算过来，每平方毫米可以塞下37吉比特的数据。作为参照，两家公司上月发布的BiCS10 3D TLC版本，面密度则是超过29Gb/mm²。QLC架构让存储密度又一次大幅前推，直接登顶业界目前公开的最高水准。
密度的秘密藏在垂直方向：这片芯片堆叠了332个有效存储层。3D NAND的本质，就是把存储单元像盖楼一样一层一层往上叠，层数越多，单颗芯片能容纳的数据量就越高。铠侠和闪迪没有直接公布这颗QLC芯片的具体容量，但按照上月1Tb TLC芯片的存储单元数量和相近的芯片面积去推算，新器件容量很可能会达到1.33Tb——当然，这只是根据已知信息的推测，最终规格还需等待正式量产确认。
接口方面，BiCS10 QLC最高可以支持到4800MT/s的数据传输率，同时引入了独立的命令地址（SCA）功能。高接口速率意味着闪存和主控之间能更快地交换数据，这对需要极致吞吐量的数据中心非常关键。SCA则允许命令和地址信号与数据通道分离，在多芯片并行工作时能够减少调度瓶颈，提升实际传输效率。
密度和速度都在提升，功耗就成了下一个棘手问题。高速输出驱动器往往能耗惊人，为此两颗新芯片搭载了名为“功率隔离低抽头终端”（PI-LTT）的技术。它的思路是去降低高速输出驱动器在信号端接时的功率消耗，但又不能伤到信号完整性。最终的效果是，接口可以跑得更快，电量账单却不会跟着窜升——对于动辄塞满数十片NAND的数据中心固态硬盘来说，这样的省电设计能直接反映在运营成本上。
BiCS10 QLC的目标场景非常明确，就是数据中心级固态硬盘，尤其是那些既要求超高容量，又需要借助闪存高速I/O来保证最低性能下限的AI型固态硬盘。在这一类应用里，每一瓦特、每一毫米的存储密度都会被反复核算。更密集的闪存意味着同样的硬盘空间能装入更多字节，或者同样的容量可以用更少的芯片，从而为散热、供电和机柜空间腾出余地。
还有一个不能不提的优势是成本。铠侠和闪迪是用最新的BiCS10工艺来制造这颗QLC芯片，一旦良率爬坡到目标水平，单颗芯片的生产成本会比采用较旧工艺的竞品方案更低。这会带来两种市场选择：要么把超高容量固态硬盘的价格压到比对手更低，去抢占数据中心采购潮的窗口；要么保持与对手相近的价格，通过更低的成本收获更丰厚利润。无论哪一种，都意味着BiCS10 QLC在商业上具备了足够的灵活空间。
当然，目前所有的讨论还都集中在数据中心这一块。官方并没有透露这类更高密度的QLC芯片何时会进入消费级固态硬盘。毕竟客户端场景对写入耐久、混合负载和响应延迟的要求与数据中心截然不同，而超高密度QLC在寿命和随机性能上是否已经准备好接手个人电脑的数据盘，还需要大量的验证和调校。短期内能看到它的地方，依然是那些以读取为主、追求存储密度极限的AI训练和数据湖场景。
Alper Ilkbahar提到的“高容量闪存存储新范式”，恰恰点出了这场发布的核心逻辑——不再只是单纯比拼层数或是传输速度，而是把密度、带宽和能效一次性打包提升。332层堆叠、37Gb/mm²面密度、4800MT/s接口加上SCA独立命令与低功耗终端方案，共同勾勒出了一幅面向下一代数据中心打造的超高密度闪存蓝图。至于这块蓝图会怎样改变云基础设施和AI服务器的固态硬盘选型，接下来的量产和交付就会给出答案。
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