国家知识产权局信息显示，应用材料股份有限公司申请一项名为“用于均匀性控制的射频阻挡器”的专利，公开号CN122514821A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，具有改进等离子体密度的半导体加工系统。系统包括具有底座、腔室壁和顶壁的等离子体室。使用天线产生射频能量，所述射频能量被感应耦合到等离子体室中。所述天线包括邻近介电窗的多个线圈。一个或多个射频阻挡器配置在介电窗附近，以阻挡部分射频能量进入等离子体室。如果射频阻挡器放置在高等离子体密度区域附近，此区域的密度可能会降低，改善等离子体室内等离子体密度的均匀性。此外，射频阻挡器可具有开口，并且还可重叠以产生不同程度的阻挡。

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作者：情报员