国家知识产权局信息显示，辽宁拓邦鸿基半导体材料股份有限公司申请一项名为“一种半导体工艺腔室用气体弥散喷嘴的制备方法”的专利，公开号CN122502091A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体圆晶制备领域，具体是指一种半导体工艺腔室用气体弥散喷嘴的制备方法，包括；第一步，筛选：选用二氧化硅纯度≥99.999%的半导体级高纯石英砂，通过振动筛筛分得到400~500目和500~600目两个粒级的石英砂，分别作为基材。本发明通过制备弥散的陶瓷头，该陶瓷头内部为中空状，顶端为帽状结构，由内部具有孔隙结构的石英烧结体构成，经梯度烧结强化内部结构实现高强度。该中空结构有利于最大面积的弥散气体，该喷嘴焊接在石英管上，该石英管可根据不同设备要求弯曲成各种形状。

天眼查资料显示，辽宁拓邦鸿基半导体材料股份有限公司，成立于2017年，位于抚顺市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本8613.4416万人民币。通过天眼查大数据分析，辽宁拓邦鸿基半导体材料股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息68条，此外企业还拥有行政许可6个。

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作者：情报员