国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN122514031A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域，所述制备方法包括：提供衬底，衬底具有第一区和第二区，第一区上设有第一栅极结构、第一光阻挡层及侧墙层，第一光阻挡层覆盖第一栅极结构的顶壁，侧墙层覆盖第一栅极结构的侧壁；形成第二光阻挡层和硬掩模层，第二光阻挡层及硬掩模层依次顺形地覆盖第二区的表面，并暴露第一栅极结构及第一区的衬底表面；沿纵向对衬底照射紫外光，对第一栅极结构两侧的衬底进行湿法氧化性刻蚀工艺，以形成初始沟槽；沿初始沟槽继续湿法刻蚀衬底，使初始沟槽变为西格玛沟槽。本申请可在衬底中形成沟槽时减轻或避免损伤栅极结构的顶部。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目648次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息1773条，此外企业还拥有行政许可35个。

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作者：情报员