国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN122534875A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置能够充分地埋入通孔接点，并且抑制配线电阻上升。本实施方式的半导体装置具备第1配线、及沿第1配线的第1方向设置的第2配线。第1接点将第1配线与第2配线之间电连接。第3配线在与第1方向交叉的第2方向上的宽度比第2配线及第1接点窄，且沿第2配线的第2方向设置。第1接点由第1导电材料构成。第2及第3配线由电阻比第1导电材料低的第2导电材料构成。

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作者：情报员