国家知识产权局信息显示，浙江富西光电制造有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN122535162A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供半导体材料层；半导体材料层包括掺杂区；在半导体材料层上形成钝化层；钝化层中具有沟槽，沟槽暴露掺杂区的顶表面；在沟槽中填充金属材料，以形成金属层；钝化层的熔点大于金属层的熔点；对金属层进行热退火处理，以使金属层与掺杂区形成欧姆接触。本申请实施例提供的半导体结构的制备方法，可确保金属层在热退火前后的图形与厚度的一致性和稳定性，从而提升后续工艺的可靠性，并降低生产成本。

天眼查资料显示，浙江富西光电制造有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江富西光电制造有限公司参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息5条。

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作者：情报员