SK海力士宣布，将在韩国龙仁和清州新建晶圆厂，这是落实其今年6月公布的中长期投资战略的又一关键进展，以应对AI时代持续增长的存储器需求。其中龙仁Y2项目投资35.2万亿韩元，另外青州M17项目投资19.1万亿韩元，合计投资约54万亿韩元（约合人民币2570.4亿元）。
SK海力士表示：“在AI时代，仅凭技术竞争力已不足以保持优势；能否在客户所需时间点交付足量产品，才是真正的竞争力。此次投资决定是基于对市场需求进行充分评估后作出的。”
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龙仁Y2是SK海力士在龙仁半导体集群内依次建设的四座晶圆厂中的第二座，总建筑面积约34.1万坪（约113万平方米），将作为DRAM生产基地投入运营。项目计划明年7月开工，2029年6月启用首个无尘室，投资将分阶段实施至2031年10月，主要生产HBM等新一代DRAM产品。目前Y1晶圆厂建设进展顺利，预计明年2月启用首个无尘室。
龙仁半导体集群位于韩国京畿道龙仁市处仁区远三面一带，占地约126万坪（约416万平方米）。今年早些时候，SK海力士已经将龙仁半导体集群的整体竣工时间由原定的2045年大幅提前至2033年，需要完成四座晶圆厂的建设。
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青州M17是新的NAND闪存生产基地，总建筑面积约20.6万坪（约68万平方米），计划明年2月开工，2028年12月启用首个无尘室，投资期将持续至2031年4月。其所属的清州园区已建成M11、M12、M15三座生产设施，可与现有产线协同增效。
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