半导体制程逼近1纳米以下节点，传统硅材料已接近物理极限。台积电联合阳明交通大学，成功研发出高性能单层二硫化钼（MoS2）顶栅极晶体管，相关成果发表于学术期刊《自然-电子学》。业界指出，这项突破为“后硅”时代带来全新契机。

摩尔定律还能走多远？当制程迈入1纳米以下，寻找新材料已成必然趋势。二硫化钼作为备受瞩目的二维半导体材料，预计将在约0.7纳米（A7制程）的CFET时代正式引入台积电的工艺路线。

手机、电脑乃至未来的AI智能设备，都需要运算更快、功耗更低的芯片。而二维半导体薄至原子级厚度，被视为延续摩尔定律、推动芯片持续微缩的关键突破口。目前，应用材料、阿斯麦、爱思强、ASM International及泛林集团等设备巨头，都在积极布局二硫化钼相关设备与技术。