就在多家代工厂承认全球芯片供应紧张短期内难以缓解之际，SK海力士率先抛出大手笔。这家韩国存储芯片巨头宣布，将投资54万亿韩元（约合380亿美元），在龙仁和清州分别建设两座新的半导体工厂，以大幅提升DRAM和NAND闪存产能。新工厂代号分别为“Y2”和“M17”，其中Y2位于龙仁半导体集群，是该集群规划四座工厂中的第二座，主要服务于高带宽内存（HBM）和下一代DRAM的生产；M17则落户清州，主打NAND闪存芯片。 根据SK海力士公布的时间表，Y2工厂的建筑工程将在2027年7月启动，首间洁净室预计于2029年6月投入使用，届时可容纳生产HBM及“新一代”DRAM所需设备。而清州M17工厂的建设计划于2027年2月开工，首间洁净室则计划在2028年12月启用，生产重心将放在NAND Flash产品上。 SK海力士在声明中承认，HBM内存已成为当今全球最抢手的芯片品类之一。英伟达、AMD等巨头正争相锁定产能，以支撑新一代GPU和AI加速器面向数据中心市场的大规模出货。与此同时，大型科技公司仍在疯狂扫货存储芯片，几乎“有多少买多少”。但分析师发出警告，许多新建数据中心项目目前仍停留在规划阶段，真实需求能否如期兑现仍存在变数。 这笔巨额投资是SK海力士更宏大的700万亿韩元长期战略的一部分。随着三星、美光等竞争对手也在积极扩产，存储芯片市场料将迎来新一轮供给比拼。对下游厂商和消费者而言，新增产能若能顺利落地，或许能缓解供货紧张与价格高企的局面；可如果AI需求不及预期，过度扩产也可能导致市场再度陷入供过于求的困境。 值得注意的是，SK海力士的新工厂最早也要到2028年才能批量生产，届时全球AI浪潮是否能维持当前热度，无人敢打包票。正如业内所担忧的那样，AI概念如今高歌猛进，可泡沫一旦破裂，这些投入巨资建设的工厂，又该由谁来买单？这场豪赌的结局，取决于AI需求能否转化为真实的数据中心建设落地，也取决于半导体行业能否躲过周期下行的暗流。
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