长江存储深耕3D NAND专利1.2万项跻身中国独角兽第五加速推进IPO|nand|tlc|专利|中国独角兽|闪存

长江商报消息●长江商报记者沈右荣实习生程嘉文

近期，2026中国（深圳）独角兽企业大会召开，长城战略咨询发布的《GEI中国独角兽企业研究报告2026》显示，长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）跻身榜单第五，估值227亿美元，略高于长鑫科技的222亿美元。

此前的6月25日，胡润发布的《2026全球独角兽榜》显示，长江存储也是榜上有名。

当长鑫科技7月27日登陆A股市场之后，市场的目光聚焦于长江存储。长江存储的IPO在加速。7月10日，长江存储母公司长江存储控股股份有限公司（简称“长控集团”）完成了第一期辅导报告。

长江存储为何如此受关注？公司打破了垄断，目前是国内唯一具备3D NAND闪存自主研发、全流程量产能力的IDM企业。长江存储深耕3D NAND领域，公司专利申请达1.2万项，发明专利占95%。

据Counterpoint的数据，2026年一季度，长江存储的市场份额提升至13%，位列全球第四。市场人士预测，一旦“存储双雄”A股市场胜利会师，武汉A股总市值排名将大幅跃升。

武汉崛起的全球存储龙头

吸睛无数的长江存储，发源于武汉，崛起于武汉。

长江存储诞生于中国存储芯片长期受制于人的时代，成长于国家集成电路产业基金和地方合力投入的周期中。公司的成长与崛起，创造了中国速度。

2006年，武汉新芯成立，委托中芯国际经营管理，中部地区首个12英寸集成电路晶圆生产线由此诞生。这是武汉在国内率先押注存储芯片的时刻，为后来的国家存储器基地埋下了种子。业内一度盛赞湖北省、武汉市政府有远见。

不过，武汉新芯的发展遭遇了多重挑战。转折点出现在2014年，《国家集成电路产业发展推进纲要》发布、国家大基金成立，存储芯片被确定为国家重点突破方向。

两年后，总投资约1600亿元的国家存储器基地落地武汉光谷，这是当时湖北省单体投资规模最大的高科技产业项目，也是长江存储的正式起点。

2016年，长江存储正式成立，并整合武汉新芯的制造能力，向3D NAND发起冲击。

当时，全球市场已被三星、SK海力士、美光等企业垄断，国内没有一家企业具备进入高端NAND Flash竞争的能力。

但长江存储并未跟随国际主流的技术路线，而是坚持自主研发与国际合作相结合的方式，不断取得突破，走出了一条独特的弯道超车之路。

根据官网，2016年，长江存储第一代3D NAND闪存测试芯片设计完成，2017年，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2018年推出的Xtacking^?架构，这项创新技术彻底改变了3D NAND闪存的设计制造范式。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking^? 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产，成为全球首款基于Xtacking^?架构的量产闪存产品。

2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量，创下业界最高的I/O速度、存储密度和单颗容量纪录。

2021年，第三代TLC/QLC NAND实现量产。

2022年，长江存储推出基于Xtacking^?3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070，实现高达2400MT/s的传输速度，相比上一代产品性能提升50%。

公开消息称，2022年，长江存储打入苹果供应链，为iPhone 14系列供应NAND闪存。

2023年9月，公司发布基于晶栈Xtacking 3.0技术的第四代3D TLC NAND闪存芯片X3-9070，堆叠层数超过300层，单颗容量为1.6Tb（200GB），I/O传输速率达到3200MT/s。

2025年2月，长江存储宣布量产全球首款294层3D NAND闪存芯片，读写速度突破7000MB/s，良率超90%。同时，公司宣布开始出货第五代3D TLC NAND闪存，成功追赶上全球领先存储企业。

官网显示，长江存储专利申请量累计超过1.2万项，其中95%为发明专利，每年新增专利申请1300项。

全球市占率13%跻身前列

技术不断突破的长江存储，产能建设也同步跟进。

根据公开信息，长江存储武汉一期项目于于2016年12月正式开工建设，规划总投资240亿美元（含二期），2018年建成投产，经过数年建设与产能爬坡，这条产线已处于月产10万片12英寸晶圆的满产状态。

2020年6月，长江存储启动二期项目建设，分为2A和2B，总规划月产能为10万片晶圆，2A于2024年正式投产，投产后仅用约两年时间就满产。目前，2B正处于产能爬坡中。

2025年，长江存储三期项目启动，计划2026年内建成投产。三期项目设计月产能为10万片，预计2027年可实现月产能5万片。