国家知识产权局信息显示，杭州宏湃半导体有限公司申请一项名为“外延片制备工艺、氮化镓外延片和高电子迁移率晶体管”的专利，公开号CN122555184A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明涉及一种外延片制备工艺、氮化镓外延片和高电子迁移率晶体管。外延片制备工艺包括GaN沟道层的制备方法，为：在GaN沟道层的表面通过原位刻蚀修复生长形成平整界面层；在进行原位刻蚀修复生长时，通过调整界面生长条件参数使GaN沟道层的表面处于分解临界状态，再利用TEGa进行修复生长形成平整界面层。氮化镓外延片包括利用上述GaN沟道层的制备方法所制备而成的沟道层。氮化镓高电子迁移率晶体管包括由上述氮化镓外延片制备的外延层。本发明能够优化沟道层界面平整度，令沟道层与势垒层界面形成更好的陡峭度，从而使电子迁移更加高效、稳定，提升电学性能。

天眼查资料显示，杭州宏湃半导体有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本123.8334万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州宏湃半导体有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员