国家知识产权局信息显示，沃孚半导体公司申请一项名为“具有改进的瞬态处理且无场绝缘层的功率半导体器件”的专利，公开号CN122556192A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，提供了功率半导体器件。在一个示例中，功率半导体器件包括半导体结构。功率半导体器件还包括位于半导体器件的非有源区中的半导体结构上的多晶硅栅极层。功率半导体器件还包括位于多晶硅栅极层与半导体结构之间的栅极绝缘图案，该栅极绝缘图案具有厚度，使得非有源区中的半导体与多晶硅栅极层之间的穿过栅极绝缘图案的距离小于约100 nm。功率半导体器件还包括位于非有源区中的半导体结构上的分流接触结构。与位移电流相关联的跨栅极绝缘图案的栅极绝缘电场小于约8 MV/cm。

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作者：情报员